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请教大家一个IGBT的问题.

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cdjm|  楼主 | 2009-3-17 10:41 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
最近看到关于IGBT的介绍,“PNP晶体管与N沟道MOSFET组合成的IGBT称为N沟道IGBT”。王兆安《电力电子技术》P29。
以前学晶体管的时候记得PNP管的电流应该是从发射极e流到集电极c。
而这种N沟道IGBT书上介绍时电流却是从c流到e。

不知道哪位高人能帮小弟解释一下,不胜感激!

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沙发
lyjian| | 2009-3-17 13:27 | 只看该作者

不是一样的吗

看图不就知道了

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板凳
maychang| | 2009-3-17 14:36 | 只看该作者

图是对的

PNP管在IGBT内部,PNP管的E极是IGBT的C极。整个IGBT相当于基极电流非常小(电压控制)的NPN管。

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地板
lucsunny| | 2009-3-19 17:32 | 只看该作者

B图上很明显啊

要是做过芯片,A图就更明显了。

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5
hlf309740996| | 2009-3-21 22:20 | 只看该作者

如果以上图看,e极的电流是不可能流到c极的,

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6
langman| | 2009-3-24 15:39 | 只看该作者

没有冲突吧

E到C 时电子流向
C到E 是电流流向
刚好  呵呵

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7
yudongx| | 2009-3-26 22:53 | 只看该作者

貌似是载流子的流向吧

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8
lsgd8888| | 2009-5-22 12:34 | 只看该作者

电流流向

PN结都是由少子到多子的电流流向。由P到N啊,这种压控沟道效应器件。

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