AIGaN／GaN H EMT功率放大器设计

只看该作者 · 2010-5-27 14:09

在小信号参数不适于微波功率放大器的设计而大信号参数不易获得的情况下，利用ADS软
件，采用负载牵引法和输入端共轭匹配，成功的设计出A1GaN／GaN HEMT微波功率放大器。为了解决
晶体管端口出现负阻的问题，设计了输入输出端并联电阻和反馈网络两种方法，最后得到理想的结果为：
工作绝对稳定，带宽3．6GHz～8．0GHz，最高增益1 1．04dB，最大输出功率33dBm，最大PAE达到29．2％，
电压驻波比较小。

RF0907004--AIGaN／GaN HEMT功率放大器设计.pdf (2.83 MB)

只看该作者 · 2010-5-27 14:18

只是仿真结果？

AIGaN／GaN H EMT功率放大器设计

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