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STM32 FLASH模拟EEPROM范例

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liw_ei|  楼主 | 2010-5-28 11:10 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 liw_ei 于 2010-5-28 11:11 编辑

在an2594范例中每次是电都要用 u16 EE_Init(void) 设置状态
从这9种状态看每次必定有1个区要被擦除。
在多次上电下,不知同一区多次擦除会不会,减少寿命
Page1
Page0
ERASED RECEIVE_DATA VALID_PAGE
ERASED
Invalid state
Erase both pages
and format page0
Erase Page1 and mark
Page0 as VALID_PAGE
Use page0 as the valid page
and erase page1
RECEIVE_DATA
Erase Page0 and
mark Page1 as
VALID_PAGE
Invalid state
Erase both pages and
format page0
Use page0 as the valid page
& transfer the last updated
variables from page0 to
page1 & mark page1 as valid
& erase page0
VALID_PAGE
Use page1 as the
valid page and
erase page0
Use page1 as the valid page
& transfer the last updated
variables from page1 to
page0 & mark page0 as
valid & erase page1
Invalid state
Erase both pages and format
page0
沙发
香水城| | 2010-5-28 11:21 | 只看该作者
哈哈,当然会,擦一次少一次。

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板凳
liw_ei|  楼主 | 2010-5-28 11:40 | 只看该作者
晕,这不就是说,用这个模拟EEPROM寿命少

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地板
香水城| | 2010-5-28 11:41 | 只看该作者
寿命少?少多少?

你希望多少寿命?

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5
mcuisp| | 2010-5-29 01:48 | 只看该作者
几千万次,呵呵
我模拟出来的EEPROM,寿命达到几千万次、、、、

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6
pkat| | 2010-5-29 16:10 | 只看该作者
几千万次?不会吧

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7
mcuisp| | 2010-5-29 22:21 | 只看该作者
呵呵,如假包换。

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8
zwll| | 2010-5-29 22:50 | 只看该作者
这个可以看做无数次了吧

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9
mcuisp| | 2010-5-30 01:55 | 只看该作者
不能、、、、

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10
午夜霓虹| | 2010-6-1 08:44 | 只看该作者
忽悠,知道怎么做就告诉人家,不然别说话了。

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11
mcuisp| | 2010-6-1 12:27 | 只看该作者
呵呵,LS言重了。
其实做法很普通。
用4KB字节来模拟4字节的EEPROM,寿命翻1000倍,自然就有1千万次了。算法就这么简单。
需要2千万次,就用8KB来模拟、、、,如此而已。

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12
午夜霓虹| | 2010-6-1 13:08 | 只看该作者
呵呵,交流吗,本来说话就该开门见山的,老来虚的确实不好, 话说重了别见怪。

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13
yybj| | 2010-6-1 16:59 | 只看该作者
没这样用过,这样模拟,实际可行吗

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