STM32 FLASH模拟EEPROM 使用和优化

只看该作者 · 2010-5-31 22:47

本帖最后由 banhushui 于 2010-6-1 09:32 编辑

感兴趣去21IC博客下载详细说明和优化后的例子
http://blog.21ic.com/user1/5817/archives/2010/69182.html

只看该作者 · 2010-6-1 09:50

本帖最后由 banhushui 于 2010-6-1 09:51 编辑

STM32 FLASH模拟EEPROM优化
官方例程中读写数据每次要查询读写位置，写数据是从页首地址开始查询，读地址是从页末地址查询。
假如只有1个数据，读数据时效率是很低的，要查到最后才能找到有效数据，
如果页快满了写数据效率也很低，读效率反而好一点了。
实际程序中记录下一个可以写数据的位置将提高数据的读写效率，这样的话：写数据就是立即写不用查询，读数据不从页末地址查询，而是从最后1个写入数据处查询，这样特别在页数据少时效率提高不少。优化过的例子代码只需要增加很少部分就能实现。
增加关键代码
uint32_t CurWrAddress;

//初始化写地址，减少每次读写时查询时间
uint16_t InitCurrWrAddress(void)
{
  FLASH_Status FlashStatus = FLASH_COMPLETE;
  uint16_t ValidPage = PAGE0;
  //uint32_t Address;
  uint32_t PageEndAddress;

  /* Get valid Page for write operation */
  ValidPage = EE_FindValidPage(WRITE_IN_VALID_PAGE);

  /* Check if there is no valid page */
  if (ValidPage == NO_VALID_PAGE)
  {
CurWrAddress = (uint32_t)(EEPROM_START_ADDRESS + (uint32_t)(ValidPage * PAGE_SIZE));
return  NO_VALID_PAGE;
  }

  /* Get the valid Page start Address */
  //Address = (uint32_t)(EEPROM_START_ADDRESS + (uint32_t)(ValidPage * PAGE_SIZE));
  CurWrAddress = (uint32_t)(EEPROM_START_ADDRESS + (uint32_t)(ValidPage * PAGE_SIZE));

  /* Get the valid Page end Address */
  PageEndAddress = (uint32_t)((EEPROM_START_ADDRESS - 2) + (uint32_t)((1 + ValidPage) * PAGE_SIZE));

  /* Check each active page address starting from begining */
  while (CurWrAddress < PageEndAddress)
  {
/* Verify if Address and Address+2 contents are 0xFFFFFFFF */
if ((*(__IO uint32_t*)CurWrAddress) == 0xFFFFFFFF)
{

   /* Set variable virtual address */
   FlashStatus = FLASH_COMPLETE;
   /* Return program operation status */
   return FlashStatus;
}
else
{
   /* Next address location */
   CurWrAddress = CurWrAddress + 4;
}
  }

  /* Return PAGE_FULL in case the valid page is full */
  return PAGE_FULL;
}
详细请看修改后的例子，读写函数也做了相应更改

STM32 FLASH模拟EEPROM进一步优化
上面优化过的例子在写数据无须查询直接写入就可，但是读数据在页数据少是效率提升明显，在页数据多时效率不明显，特别是页数据快满时就跟原来一样的。
说明：不管是官方还是优化过的例子在页交换时这个模拟EEPROM程序都将耗费不少时间的
//================================
如果你对时间要求不高完全不用考虑下面的了。
下面就进一步提升它的效率，方法如下：

为每1个保存的变量定义1个映射地址，就是在写数据时将写数据的地址偏移保存起来。比如第1次的数据映射地址是0，第2次的数据映射地址是1，那么读数据时就可以立即计算出地址。此方法对于1K页大小的每个数据将增加1个8位映射地址，对于2K页大小的每个数据将增加1个16位映射地址.

这里只提供方法，当然方法不是唯一的，有兴趣的自己去玩。

只看该作者 · 2010-6-1 09:32

本帖最后由 banhushui 于 2010-6-1 09:40 编辑

错误的例子：
/* Variables' number */
#define NumbOfVar             ((uint8_t)0x05)
uint16_t VirtAddVarTab[NumbOfVar] = {0, 1, 2};
//NumbOfVar定义的比用的多实际是{0, 1, 2, 0, 0},虚拟地址0的数据换页后将出现旧数据覆盖最新数据
int main(void)
{
uint16_t  temp;
  for (VarValue = 0; VarValue < 100; VarValue++)
  {
EE_WriteVariable(VirtAddVarTab[0], VarValue+10);
  }
  for (VarValue = 0; VarValue < 500; VarValue++)
  {
   EE_WriteVariable(VirtAddVarTab[1], VarValue);
   temp=0;
   EE_ReadVariable(0, &temp);//不换页读出数据是对的，换页后读出数据错误
  }
}
//====================================================================================
/* Variables' number */
#define NumbOfVar             ((uint8_t)0x03)
uint16_t VirtAddVarTab[NumbOfVar] = {0, 1, 2};
//NumbOfVar定义为3，下面用到虚拟地址超过VirtAddVarTab表里面的值
int main(void)
{
uint16_t  temp;

  for (VarValue = 0; VarValue < 100; VarValue++)
  {
EE_WriteVariable(VirtAddVarTab[0], VarValue);
  }


  for (VarValue = 0; VarValue < 50; VarValue++)
  {
EE_WriteVariable(3, VarValue+2);
  }

  for (VarValue = 0; VarValue < 200; VarValue++)
  {
EE_WriteVariable(2, VarValue);
temp=0;
EE_ReadVariable(3, &temp);//不换页读出数据是对的，换页后读出数据错误
  }
}