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如何理解三极管的VCE

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tongshaoqiang|  楼主 | 2010-6-7 08:45 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
各位大侠,跟大家请教一下三极管Vce这个参数,我的理解:
1、三极管的Vbe是个固定的值有PN结的材料结构本身的原因造成的,为什么 VCE不是由元器件本身材料构成的?我看到三极管datasheet中的VCE是可以变化的,vce大概大于0.3v三级管就工作在放大状态了。
2、VCE是集射间的电压,这个电压与什么有关?当三极管作为开关使用的时候,vce是否限制了电源电压VCC?

感谢

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沙发
pqsh| | 2010-6-7 09:32 | 只看该作者
Vbe在小电压也不是固定的,Vce在0.3V接近固定的,这是由材料决定的.
在0.3V以上,Vce是受控制的(其实是电流-电流),还没到材料的不受控极限.就如水龙头一般.
Vce限制电源电压?好像不会.

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tongshaoqiang|  楼主 | 2010-6-7 09:42 | 只看该作者
3# pqsh
我觉得vce受vcc的限制是这么理解的:
比如vcc12v,想让vce得到高于12v的电压是不可能的吧

如果vce最大承受的电压是50v,用超过50v的vcc可以吗
问题可能很低级啊,莫笑啊。

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地板
tongshaoqiang|  楼主 | 2010-6-7 09:43 | 只看该作者
还有个问题,共射极三极管放大电路中,datasheet中三极管的哪个参数可以表明,我要输入交流信号的幅度不能大于某个值?

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天神下凡| | 2010-6-7 10:55 | 只看该作者
输入信号幅度要保证基极电流在额定范围内,还要保证VCB小于VCBO

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6
tongshaoqiang|  楼主 | 2010-6-7 11:00 | 只看该作者
6# 天神下凡
对于基电极电流Ib的确定与输入交流信号有关吗?Ib不是由电路的静态工作时有vcc及连在vcc与基极间的电阻Rb决定的吗?

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7
天神下凡| | 2010-6-7 11:22 | 只看该作者
如果没有基极限流电阻的话,Ib=(Vin-Vb)/Rb  ,这个基极电流是有最大值的,不能超过。

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8
buqibushe| | 2010-6-7 19:29 | 只看该作者
已经说得很清楚了

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9
gguoke@126.com| | 2010-6-7 20:31 | 只看该作者
哎,现在的人,教科书不好好读,总是跑到论坛上问这种问题

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10
bobo1957| | 2010-6-7 22:47 | 只看该作者
比如说你有1.85,你觉得眼睛有可能会长到1.90米不啊,输入电压极限就差不多是这样的

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11
maychang| | 2010-6-7 23:13 | 只看该作者
通常三极管工作于放大状态时,发射结加正向电压,集电结加反向电压。
发射结加正向电压,Vbe大体上是固定值(随基极电流有比较小的变化),这是因为基极电流增加在信号源或偏流电阻上压降增大。集电结加反向电压,其值不能由电源确定,而是由集电极电流和负载确定。
Vce大于电源电压是可能的,在变压器负载、电感性负载时就可能出现这种现像。

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12
tongshaoqiang|  楼主 | 2010-6-8 07:43 | 只看该作者
本帖最后由 tongshaoqiang 于 2010-6-8 07:45 编辑

10# gguoke@126.com
因为看资料没看懂,才来发帖的。岁数大了,脑力不如以前了,大家包容一下啊。

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13
acute1110| | 2010-6-8 16:16 | 只看该作者
VCE约小,三级管可以调整的输出 V/I范围越大

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14
maychang| | 2010-6-8 20:03 | 只看该作者
12楼:
岁数大,没有我开始学的岁数大吧?
我34岁时,还不知道运算放大器是什么。

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15
tongshaoqiang|  楼主 | 2010-6-8 20:22 | 只看该作者
多谢maychang老师鼓励!!
最近也感觉自己进步很快,跟大家的帮助是分不开的。
由衷的感谢好心人!

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16
yang19850304| | 2010-6-8 22:09 | 只看该作者
:victory:

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17
efen| | 2010-6-8 23:17 | 只看该作者
学习

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18
huiwang_1981| | 2010-6-9 11:50 | 只看该作者
学习

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19
tongshaoqiang|  楼主 | 2010-6-10 10:13 | 只看该作者
本帖最后由 tongshaoqiang 于 2010-6-10 10:18 编辑

在物理上集电极与射级没有接触,何来结?
三极管工作在放大区时,vce根据哪个参数的变化而变化?

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HWM| | 2010-6-10 10:29 | 只看该作者
BJT是电流型器件,Vce必须配合电路整体分析。建议看BJT的等效模型,别拘泥于器件的具体细节。

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