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【转】花了三四天时间,注释了NAND flash的main程序与大家分享

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群龙舞十方|  楼主 | 2010-6-8 09:15 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 群龙舞十方 于 2010-6-8 09:18 编辑

/**********************按键实验*********************************/
// 公司名称 :飞凌嵌入式技术有限公司
// 描    述 :nandflash
// 版    权 :飞凌嵌入式技术有限公司
// 网    址 :www.witech.com.cn
/***************************************************************/
本文转引自 飞凌嵌入式 ARM学习专区 感谢作者无私奉献!
/*
        本实验接口说明
*/
#include "include.h"
/*-----------------------函数声明----------------------------*/
void InitNandFlash(int info);
void cpy_bpage(void);
void add_bpage(unsigned int seq);
extern void Uart_Printf(char *fmt,...);
extern void Uart_Init(int baud);
extern void Uart_Select(int ch);
/*------------------------------------------------------------/
函数名称:        InitNandCfg
功能描述:        配置flash
传    参:        无
返 回 值:        无
-------------------------------------------------------------*/
static void InitNandCfg(void)
{
        
        rNFCONF = (TACLS<<12)|(TWRPH0<<8)|(TWRPH1<<4)|(0<<0);        
        rNFCONT = (0<<13)|(0<<12)|(0<<10)|(0<<9)|(0<<8)|(1<<6)|(1<<5)|(1<<4)|(1<<1)|(1<<0);
        //
}
/*------------------------------------------------------------/
函数名称:        WaitNFBusy
功能描述:        
传    参:        无
返 回 值:        static U32 stat&1
-------------------------------------------------------------*/
static U32 WaitNFBusy(void)        // 等待nand flash 的操作结束
{
        U8 stat;                                //因为nansh flash数据通道只有8bit
        
        WrNFCmd(QUERYCMD);                //QUERYCMD=0X70,将0x70写入NFCMD
                                                        //查看nand flash芯片的资料中的Command Sets
                                                        //0x70表示读nand flash的状态
        do
        {
                stat = RdNFDat();        //上面命令是读nandflash的状态,因此RdNFDat获得的是nandflash的状态。
        }
        while (!(stat&0x40));        //[6] busy:0  ready:1
        WrNFCmd(READCMD0);                //READCMD0=0
        return stat&1;    //注意0为操作成功.见datasheet34页表。
}
/*------------------------------------------------------------/
函数名称:        ReadChipId
功能描述:        读flash ID
传    参:        无
返 回 值:        static U32 id
-------------------------------------------------------------*/
// 读ID过程的时序图在K9F1G08U0A的datasheet中,第28和35页//
static U32 ReadChipId(void)
{        
        U32 id,k;
        
        NFChipEn();        //选中nandflash
        WrNFCmd(RdIDCMD);//读ID命令
        WrNFAddr(0);        //写入00h(根据datasheet)
        while(NFIsBusy());        //等待前一步完成
        id  = RdNFDat()<<8;        //define中规定:RdNFDat8(); for 8 bit nand flash,use byt access
        for(k=0;k<500;k++);        //
        id |= RdNFDat();        //从运行结果ID:ecda来看,可能是这边程序有点问题(ID指什么不明确)
        NFChipDs();               
        
        return id;
}
/*------------------------------------------------------------/
函数名称:        ReadStatus
功能描述:        读FLASH状态
传    参:        无
返 回 值:        static U16 stat
-------------------------------------------------------------*/
static U16 ReadStatus(void)
{
        U16 stat;
        
        NFChipEn();        
        WrNFCmd(QUERYCMD);               
        stat = RdNFDat();        
        NFChipDs();
        
        return stat;
}
/*------------------------------------------------------------/
函数名称:        EraseBlock
功能描述:        擦除 FLASH
传    参:        U32 addr
返 回 值:        U32 ~stat
-------------------------------------------------------------*/
//         地址输入(两个周期) datasheet第27页       //
U32 EraseBlock(U32 addr)
{
        U8 stat;
        addr &= ~0x3f;                        //addr=0000 0001 1000 0000
               
        NFChipEn();        
        WrNFCmd(ERASECMD0);                //ERASECMD0=0X60
        WrNFAddr(addr);                        //cycle1:8bit address=1000 0000
        WrNFAddr(addr>>8);                //cycle2:8bit address=0000 0001
        WrNFCmd(ERASECMD1);                //ERASE confirm cmd
        stat = WaitNFBusy();        //等待擦除完成
        NFChipDs();
        
        return ~stat;
}
/*------------------------------------------------------------/
函数名称:        ReadPage
功能描述:        
传    参:        U32 addr, U8 *buf
返 回 值:        无
-------------------------------------------------------------*/
//                读取block6中的page25   参考datasheet30页                 //
void ReadPage(U32 addr, U8 *buf)
{
        U16 i;
        
        NFChipEn();
        WrNFCmd(READCMD0);                //READCMD0=0
        WrNFAddr(0);                        //
        WrNFAddr(0);                        //因为读的是一个page,所以col addr=0
        WrNFAddr(addr);                        //
        WrNFAddr(addr>>8);                //block6,page25的地址
        WrNFCmd(READCMD1);                //READCMD1=0X30
        InitEcc();                                //初始化ECC
        WaitNFBusy();                        //
        for(i=0; i<2048; i++)
                buf = RdNFDat();        //将2k的内容读出
        NFChipDs();
}
/*------------------------------------------------------------/
函数名称:        WritePage
功能描述:        
传    参:        U32 addr, U8 *buf
返 回 值:        U32 ~stat
-------------------------------------------------------------*/
/*【Nand Flash中的特殊硬件结构】
1.页寄存器(Page Register):由于Nand Flash读取和编程操作
来说,一般最小单位是页,所以,nand flash在硬件设计时候,就考虑到
这一特性,对于每一片,都有一个对应的区域,专门用于存放,将要写入
到物理存储单元中去的或者刚从存储单元中读取出来的,一页的数据,这
个数据缓存区,本质上就是一个buffer,但是只是名字叫法不同,datasheet
里面叫做data Register,实际理解为页缓存,大小应该是等于1个page
恰当些。而正是因为有些人不了解此内部结构,才容易产生之前遇到的某人
的误解,以为内存里面的数据,通过Nand Flash的FIFO,写入到Nand Flash
里面去,就以为立刻实现了实际数据写入到物理存储单元中了。而实际上,
只是写到了这个页缓存中,只有等你发了对应的编程第二阶段的确认命令0x10
之后,实际的编程动作才开始,才开始把页缓存中的数据,一点点写到物理存
储单元中去。*/
//                        参考datasheet的第23页                        //
U32 WritePage(U32 addr, U8 *buf)
{
        U32 i, mecc;
        U8 stat, tmp[7];
        
        
        NFChipEn();                                //
        WrNFCmd(PROGCMD0);                //page program 命令        
        WrNFAddr(0);                        //        
        WrNFAddr(0);                        //        
        WrNFAddr(addr);                        //
        WrNFAddr(addr>>8);                //要写入的page地址        
        InitEcc();        //reset mecc and secc
        MEccUnlock();                        //unlock main data area ecc generation
        for(i=0; i<512; i++)        //具体要写入页的数据写入main data area
                WrNFDat(buf);        //将数据输入NAND FLASH的data register中
                                                        //或者可以理解为写入page的缓冲区
                                                        //只有在发送确认命令0x10之后,该内容才被写入物理存储单元。
        MEccLock();                                //unlock it
        mecc = RdNFMEcc();                //mecc赋值等于MAIN DATA AREA ECC0 STATUS ERGISTER的内容        
               
        tmp[0] = mecc&0xff;                //[7:0]
    tmp[1] = (mecc>>8)&0xff;//[15:8]
    tmp[2] = (mecc>>16)&0xff;//[23:16]
    tmp[3] = (mecc>>24)&0xff;//[31:24]
    tmp[5] = 0xff;        //mark good block
        
                 
                //WrNFDat(0xff);        //2048,坏块标志//此时主数据区已经lock了。如果不等于0xff就说明是坏块
                                              //sumsung规定在block第一和第二个page的spare area的第一个字节,如果不等于0xff就说明是坏块。
            SEccUnlock();        //校验码写入spare data area
                WrNFDat(0xff);        //改到这里来运行也一样,应该是没做坏块的判断吧?
                WrNFDat(tmp[0]);//ECC校验码
                WrNFDat(tmp[1]);
                WrNFDat(tmp[2]);
                WrNFDat(tmp[3]);//同上,也在页缓冲区
                SEccLock();

        WrNFCmd(PROGCMD1);        //确认命令,将以上数据写入物理存储器
        stat = WaitNFBusy();
        NFChipDs();
        
        return ~stat;
        
                        
}
/*------------------------------------------------------------/
函数名称:        nandMain
功能描述:        入口函数
传    参:        无
返 回 值:        无
-------------------------------------------------------------*/
void nandMain(void)
{
        U16 ID,i;
        U8 buf[512];
        U32 NFBlockNO=6;
        U32 NFPagesNO = 25;                                         //block6,page25
        U32 status;
        U32 BlockPages;
        BlockPages =(NFBlockNO<<6)+NFPagesNO;         //BlockPages=000110011001
                                                                                        //左移6位是因为1Block=64Page
                                                                                        //因此block6的起始地址位:6*64=6<<6
        Uart_Init(115200);
        Uart_Printf("\nthe main is running\n");
        InitNandCfg();                    //初始化函数
        ID=ReadChipId();                        //ID=ECf1 ;;ID=ecda
        Uart_Printf("\nnand flash`s ID is:%x\n",ID);
  
    if(EraseBlock(BlockPages)&0x1==TRUE)
    {   
                Uart_Printf("\nblock %d is erased\n",NFBlockNO);
                ReadPage(BlockPages,buf); //读page中的内容
                Uart_Printf("\n/***********************擦除之后flash中的数据****************/\n");
                for(i=0; i<512; i++)
                Uart_Printf("%4x", buf);
        
                Uart_Printf("\n/***********************应写入数据****************/\n");

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沙发
myymichael| | 2010-6-8 11:06 | 只看该作者
谢谢楼主

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板凳
群龙舞十方|  楼主 | 2010-6-8 14:22 | 只看该作者
:)

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地板
sz110| | 2010-6-8 19:17 | 只看该作者
正需要nand flash的相关资料,谢楼主

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5
xibu1102007| | 2010-6-23 18:21 | 只看该作者
多谢楼主

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6
lincolnlin| | 2010-6-29 11:14 | 只看该作者
有了这个底层的读写,可以试着把 YAFFS2 移植进来,这样就可以实现一个文件系统。
以前我们用ARM7(S3C44B0X) + NAND Flash,在裸机上 用 YAFFS2 实现过,通过串口实现操作界面, 可以查看Flash的文件列表,下载文件到Flash中等功能

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7
huo_shan| | 2012-9-9 14:04 | 只看该作者
灰常感谢

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