JEDEC JESD204A串行接口，SiGe:C和LDMOS技术的突破使新一代无线基础设施的设计成为可能
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）最近宣布，在加利福尼亚州阿纳海姆举行的“2010年IEEE MTT-S国际微波研讨会”上，展示了其用于新一代基站的最新高性能射频和混合信号产品。特色产品包括恩智浦新型高速数据转换器组合——全球首个支持JEDEC JESD204A串行接口的数据转换器——现已批量发售。恩智浦还展示了其基于SiGe:C技术的广泛的射频和中频放大器产品组合，包括低噪声放大器（LNAs），以及固定和可变增益放大器，能够实现无线基础设施TRx无线电设计上的更高集成度。此外，恩智浦也展示了其第七代 LDMOS功率晶体管，以及一个Doherty功率放大器的综合产品组合，其中包括业界首个三路900MHz Doherty放大器，和一个高达600W的单封装Doherty，这是一个可在大功率范围保持高效率的紧凑型器件。
恩智浦半导体高级副总裁兼高性能射频和照明业务总经理John Croteau表示，“随着无线数据流量的巨幅增长，移动基础设施供应商正在承受着将高性价比和低功耗的基站快速推向市场的巨大压力。从分立器件到模块构件和专用标准产品(ASSP)，恩智浦提供一系列的高性能射频产品组合，简化了更紧凑和更高效解决方案的设计过程”。“通过我们在JESD204A、SiGe:C和LDMOS等技术领域的领导地位，以及我们对系统层面架构创新的关注，恩智浦填补了行业内的各项空白，从低功耗电网和射频拉远的部署，到相控阵天线，以及很多其他的特别创新。”
特色产品包括：
高速数据转换器。
恩智浦新型高速CGVTM ADCs和DACs在行业内首次运用JEDEC JESD204A串行接口，除大幅减少数据转换器与VLSI逻辑器件之间的互联信号数量外，还能够支持多数据转换器通道的同步结合。JEDEC JESD204A接口解决了棘手的系统设计难题，提高了系统的可靠性，并减少了开发时间和材料用量（BOM）成本。恩智浦JESD204A接口CGV转换器与来自Altera, Lattice及 Xilinx基于SERDES的FPGA实现互通操作。恩智浦ADC提供卓越的85dBc SFDR线性性能；比目前可用的典型高速数据转换器高出5dB，且实现低功耗优化。高达16位，125 Msps 采样率的恩智浦ADC支持很高的频率输入范围，它把“射频转换器” 这一新的产品类别引入业界，并已得到了认可。
先进的小信号射频器件。恩智浦将展示其射频小信号的完整产品组合，其中包括基于SiGe:C工艺的突破性低噪声放大器系列产品，它满足无线基础设施非常苛刻的要求，即 NF小于0.7dB，20dB增益和33dBm IP3，实现了更高的集成度。其他重点包括通过恩智浦全面射频测试的基于硅工艺的固定和可变增益高线性度放大器产品系列，适用于IF和RF频段，可实现P1dB最高达33dBm，增益控制范围超过30dB，模拟和数字SPI控制接口，OIP3达45dBm以上。
最佳射频功率产品
恩智浦将展示其第七代 LDMOS大功率晶体管组合，其功效表现出色，单端封装200W，推挽（双路）封装250W和300W。如同所有的恩智浦LDMOS功率晶体管，第七代LDMOS高功率晶体管保障了基站可靠运行所需的耐用性。此外，恩智浦提供了全面的最佳Doherty功率放大器，覆盖了无线基础设施的整个频率范围，从 400到3500MHz ，这在业界是最广的。通过均在900兆赫环境下运行的业界首个三路Doherty放大器和基于恩智浦50V LDMOS处理技术的第一个单封装600W Doherty功率放大器，恩智浦为射频设计工程师提供了最佳选择，并使非常紧凑的基站成为可能。三路Doherty电路可达52.7dBm峰值（平均功率44.1dBm），并具有49.2%的高效率。目前，600W（57.8dbBm）单封装电路在带内49.2dBm输出功率状态下，可实现超过43%的效率。此外，恩智浦将展示其独有的专为紧凑型射频拉远和天线阵列设计的完全集成Doherty放大器。
有关恩智浦高性能射频产品的更多信息， http://www.nxp.com/infocus/topics/mtts_2010/ |
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