打印

全新 CSD86350Q5D 功率模块

[复制链接]
1506|15
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
午夜粪车|  楼主 | 2010-6-15 16:12 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
liliang9554| | 2010-6-15 16:20 | 只看该作者
确实,通过高级封装将 2 个非对称 NexFET 功率 MOSFET 进行完美整合,可为服务器、台式机与笔记本电脑、基站、交换机、路由器以及高电流负载点 (POL) 转换器等低电压同步降压半桥应用实现高性能。

使用特权

评论回复
板凳
易达口香糖| | 2010-6-15 16:35 | 只看该作者
NexFET 功率模块除提高效率与功率密度外,还能够以高达 1.5 MHz 的开关频率生成高达 40 A 的电流,可显著降低解决方案尺寸与成本。

使用特权

评论回复
地板
虎虎生威| | 2010-6-26 09:00 | 只看该作者
优化的引脚布局与接地引线框架可显著缩短开发时间,改善整体电路性能。

使用特权

评论回复
5
午夜粪车|  楼主 | 2010-6-26 09:58 | 只看该作者
此外,NexFET 功率模块还能够以低成本方式实现与 GaN 等其他半导体技术相当的性能。

使用特权

评论回复
6
午夜粪车|  楼主 | 2010-6-26 10:36 | 只看该作者
5 毫米 x 6 毫米 SON 外形仅为两个采用 5 毫米 x 6 毫米 QFN 封装的分立式 MOSFET 器件的 50%

使用特权

评论回复
7
虎虎生威| | 2010-6-26 11:17 | 只看该作者
可在 25 A 的工作电流下实现超过 90% 的电源效率,与同类竞争器件相比,效率高 2%,功率损耗低 20 %

使用特权

评论回复
8
五谷道场| | 2010-6-26 11:46 | 只看该作者
与同类解决方案相比,无需增加功率损耗便可将频率提高 2 倍

使用特权

评论回复
9
chuxh| | 2010-6-26 12:18 | 只看该作者
底部采用裸露接地焊盘的 SON 封装可简化布局。

使用特权

评论回复
10
ajax_wh| | 2010-6-26 14:50 | 只看该作者
价格如何啊?

使用特权

评论回复
11
chuxh| | 2010-6-26 15:27 | 只看该作者
论坛里不讨论价格的,呵呵

使用特权

评论回复
12
虎虎生威| | 2010-6-26 15:35 | 只看该作者
供货呢?

使用特权

评论回复
13
五谷道场| | 2010-6-26 16:03 | 只看该作者
采用 5 毫米 x 6 毫米 SON 封装的 NexFET 功率模块器件现已开始批量供货

使用特权

评论回复
14
易达口香糖| | 2010-6-26 16:12 | 只看该作者
想了解完整的 NexFET 产品系列到这:http://www.ti.com.cn/powerblock-prcn

使用特权

评论回复
15
chuxh| | 2010-6-26 16:18 | 只看该作者
通过 TI E2E™ 社区的 NexFET 论坛向同行工程师咨询问题,并帮助解决技术难题:www.ti.com/nexfetforum-pr

使用特权

评论回复
16
虎虎生威| | 2010-6-26 16:19 | 只看该作者
搜索最新 MOSFET 图形参数选择工具:www.ti.com/mosfet-gps-pr

使用特权

评论回复
发新帖 我要提问
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

867

主题

10194

帖子

3

粉丝