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可控硅的上电问题

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jack-dz|  楼主 | 2010-6-18 17:18 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
请大家帮忙分析,如图两只可控硅其中BT136上电时会有瞬间误触发(BTA16则不会,可能是其所要求的触发电流较大的原因),为什么这电路会出现此问题呢?有什么解决的办法?谢谢!

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沙发
gaohq| | 2010-6-18 18:25 | 只看该作者
在人R15旁边并各电容试试。

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板凳
chunyang| | 2010-6-18 18:49 | 只看该作者
误触发来自前级电路的上电暂态,并电容等于增加一个积分环节,虽然可以改善,但最好的办法是采用负逻辑设计即低电平驱动。

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地板
maychang| | 2010-6-18 18:51 | 只看该作者
晶闸管有个参数叫电压上升率,即晶闸管两端电压上升允许多快,超过此值,即使没有触发信号,晶闸管也可能导通。
双向晶闸管的这个参数比普通晶闸管(单向)小很多。
解决的方法是降低电压上升率,通常在输入电路中加LC低通滤波,或简单地在晶闸管两端并联RC串联电路。
老tyw的新年大书包里面有晶闸管专辑,下载看看。

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5
chunyang| | 2010-6-18 18:58 | 只看该作者
楼上所指是在强感性负载条件下才成立,上电暂态发生的误触发不会来自负载环节,而是来自驱动环节,MCU的IO在尚未受控时内部的上拉电阻将成为驱动源。

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6
maychang| | 2010-6-18 20:02 | 只看该作者
Re Chunayng:
两种可能性都存在。
判断是哪一种,可以将触发断开,对首帖的图就是令Q2基极悬空。来回扳开关,反覆上电,若仍有误导通发生,即可判断是电压上升率问题,若无,从触发电路上找原因。
需要注意:楼主的负载好像是阻性负载(标Heat),电压上升率过高导致的误导通不一定每次上电均发生,开关闭合瞬间若是在交流电接近过零附近就很可能不发生误导通,开关闭合瞬间若在交流电最大值附近就容易发生误导通,所以应该多试几次。

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7
jack-dz|  楼主 | 2010-6-19 11:07 | 只看该作者
谢谢各位的高见!
   
     1.负载是灯泡;
     2.把可控硅的驱动电路电阻R19断开也一样会出现此问题;
  3.220欧电阻串0.1UF电容并到可控硅的两端也一样会出现此问题;
  4. TO:maychang,请问题此电路为什么会出现电压上升率过高呢?
  5. 若把图中电路里的开关电源换成阻容降压电源方式则不会出现此问题,为什么呢?   

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8
xuetingxun2010| | 2010-6-19 11:35 | 只看该作者
潜水学习,嘿嘿

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9
maychang| | 2010-6-19 12:34 | 只看该作者
7楼:
4、“此电路为什么会出现电压上升率过高呢?”
理想开关从关断到闭合不需要时间,关断时晶闸管(包括灯)两端电压是零,闭合时晶闸管两端电压是交流瞬时值。时间为零,电压上升率是多少?
当然,实际上开关从关断到闭合的时间不可能是零,总需要一段时间的,但此段时间相当短是肯定的。
在220V输入回路中加入LC滤波电路,一方面抑制晶闸管导通对其它用电设备的干扰,另一方面可以降低开关从关断到闭合晶闸管两端电压上升率。
5、这个不知道。

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10
wuyb0512| | 2010-6-19 13:36 | 只看该作者
看来楼主也是家电控制板行业的吧,我们是同行,如果有可能的话我们聊聊,我的QQ是290056173,邮箱是wuyb0512@163.com.工作电话是33236323,吴生。

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11
lou0908| | 2010-6-19 13:45 | 只看该作者
潜水学习

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12
datouyuan| | 2010-6-19 15:12 | 只看该作者
“5. 若把图中电路里的开关电源换成阻容降压电源方式则不会出现此问题,为什么呢?  ”
直流电压和交流电没隔离的话,一定要考虑这2个电源基准互联的问题。
从原理图上看,我对你的开关开关电源这部分原理感觉总有点问题。假如采用阻容降压电源方式,也一定要注意基准这个问题。
假如你打算ACL和5V-(即GND)是同一点的话,驱动这2个可控硅需要pnp型管,而不是npn型管。
假如你打算ACL和5V+是同一点的话,驱动这2个可控硅需要npn型管,而不是pnp型管。

比较好的设计交流电源和控制电源要隔离,要用光耦可控硅(如MOC3083)连接。

电路上还要加个电阻,如下图:

computer_023.jpg (12.14 KB )

computer_023.jpg

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13
chunyang| | 2010-6-19 16:54 | 只看该作者
楼上说的不错,必须考虑电压参考基准,驱动晶体管在没有足够反偏时会有漏电流,这个漏电流就是触发可控硅的原因。

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14
jack-dz|  楼主 | 2010-6-19 17:19 | 只看该作者
TO:12楼

    但我按图加了个4.7K的电阻问题还是一样。

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15
sunjiayin| | 2010-6-19 18:01 | 只看该作者
...

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16
chen_sf| | 2010-6-20 15:46 | 只看该作者
楼上说的不错,必须考虑电压参考基准,驱动晶体管在没有足够反偏时会有漏电流,这个漏电流就是触发可控硅的原因。
chunyang 发表于 2010-6-19 16:54

是这个理,还是要考虑三极管的耐压

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17
saimax| | 2010-6-20 17:07 | 只看该作者
将R15改为104电容

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18
saimax| | 2010-6-20 17:09 | 只看该作者
这个问题我以前也试过,后来改了电容就ok了,而且工作点比电阻更稳定

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19
jack-dz|  楼主 | 2010-6-21 09:55 | 只看该作者
R15换成104电容问题还是一样,即使把R13断开上电问题还是一样。

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20
maychang| | 2010-6-21 10:18 | 只看该作者
19楼:
R13断掉还是一样,那就很说明问题了。
看12楼的图,以及我在9楼的回复。

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