FSMC接2片SRAM,初始化程序这么写对么?

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 楼主| ak470927 发表于 2010-6-27 14:43 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 ak470927 于 2010-7-1 11:42 编辑

Bank1_SRAM3和Bank1_SRAM4接 分别接1片25616-10T,请问初始化程序这么写对么?
#define Bank1_SRAM3_ADDR    ((u32)0x68000000)
#define Bank1_SRAM4_ADDR    ((u32)0x6C000000)

  p.FSMC_AddressSetupTime = 0;
  p.FSMC_AddressHoldTime = 0;
  p.FSMC_DataSetupTime = 2;
  p.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0;
  p.FSMC_CLKDivision = 0;
  p.FSMC_DataLatency = 0;
  p.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM3 | FSMC_Bank1_NORSRAM4;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType = FSMC_MemoryType_SRAM;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode = FSMC_BurstAccessMode_Disable;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsyncWait = FSMC_AsyncWait_Disable;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &p;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &p;
  FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);
  /* Enable FSMC Bank1_SRAM Bank */
  FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3 | FSMC_Bank1_NORSRAM4, ENABLE);
请问程序这么写可以么?
新手上路,请多关照,感谢
 楼主| ak470927 发表于 2010-7-1 11:22 | 显示全部楼层
谁能帮我解答下:'(
ST_ARM 发表于 2010-7-1 12:53 | 显示全部楼层
基本上可行,
  p.FSMC_AddressSetupTime = 0;
  p.FSMC_AddressHoldTime = 0;
  p.FSMC_DataSetupTime = 2;
  p.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0;
  p.FSMC_CLKDivision = 0;
  p.FSMC_DataLatency = 0;
这几个数值要根据芯片的数据手册定一下就可以了。

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 楼主| ak470927 发表于 2010-7-1 14:04 | 显示全部楼层
终于有人回答我问题了,衷心的感谢您·~:)
zhanggw 发表于 2010-8-13 16:13 | 显示全部楼层
配置分开写,你这样写会有问题的
sinadz 发表于 2010-8-14 09:39 | 显示全部楼层
基本正确
xsgy123 发表于 2010-8-14 10:03 | 显示全部楼层
基本上没有什么错误
momingwei 发表于 2014-4-17 12:18 | 显示全部楼层
最近做的这个程序和你的很相似 接两个同样的伪SRAM,我选的片选是NE1和NE2,配置和你的基本一样。我想问一下,你的配置有问题吗,为什么我检测内存老是出错,可读可写,就是检测的时候会出错,如果把第一个SRAM存满了使用第二个的时候,要把第一个的配置失能吗 就是  FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3, DISABLE);  谢谢指教!!
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