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PADS里根据怎么来算等长的具体长度呢

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nicholes|  楼主 | 2010-7-4 15:09 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
nicholes|  楼主 | 2010-7-8 10:29 | 只看该作者
还请各位高人指点下啦:dizzy:

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板凳
guet| | 2010-7-8 11:56 | 只看该作者
给你看个例子

1.        所有信号的容性负载为15pF@166MHz, 1.8V。所以所有的电容包括电路板的寄生电容要小于15PF;
2.        走线阻抗控制为45Ω-55Ω;
3.        走线分支尽量短;
4.        最长走线长度45mm;
5.        信号走线必需有参考层(GND或PWR平面);
6.        走线尽量在内层;
7.        尽量加强电源走线,去耦电容紧靠电源脚;
8.        DRAM芯片每个电源网络至少两个去耦电容;
9.        使用完整的地平面和电源平面为信号提供参考面。
●        Xm1DQS and Xm1DATA, Xm1DQM信号
Xm1DQS0 & Xm1DATA[7:0], Xm1DQM0一组,Xm1DQS1 & Xm1DATA[15:8], Xm1DQM1一组,Xm1DQS2 & Xm1DATA[23:16], Xm1DQM2一组,Xm1DQS3 & Xm1DATA[31:24], Xm1DQM3一组,每组之间布线长度偏差± 5.0mm。如果是DDR2内存偏差为± 1.0mm。
●        Xm1SCLK and Xm1SCLKn信号
1.        推荐使用星形拓扑;
2.        推荐差分阻抗为100Ω;
3.        Xm1SCLK & Xm1SCLKn布线长度偏差±1.0mm;
4.        Xm1SCLK(n) & Xm1DQS[3:0] 布线长度偏差± 10mm;
●        其它控制信号
1.        Xm1SCLK(n) & Xm1ADDR[15:0], Xm1CASn, Xm1RASn, Xm1CKE[1:0], Xm1WEn布线长度偏差± 10mm;
2.        地址信号(Xm1CKE[1:0], Xm1CSn[1:0], Xm1ADDR[15:0], Xm1RASn, Xm1CASn, Xm1WEn)推荐使用T形拓扑;
3.        不要靠近高速信号(Xm1SCLK, Xm1SCLKn, Xm1DQS(n)[3:0] and Xm1DATA),与其保持至少3W线距;

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地板
nicholes|  楼主 | 2010-7-9 22:36 | 只看该作者
谢谢guet,真的学习了,说得很具体明白:victory:

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