打印

问下RF N MOS FET的IDQ怎么定义?

[复制链接]
1864|1
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
ayin267|  楼主 | 2007-6-1 22:11 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
ayin267|  楼主 | 2007-6-12 14:10 | 只看该作者

是这样的吗?

在上图output项,是不是这样的设置,电源6V,在静态下设置Vgs使Idq的电流为500ma,在这样的偏置下,输入F=520MHz,+20DBm的信号,输出就可以达到2W左右,请问是不是这样理解的?

使用特权

评论回复
发新帖 我要提问
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

10

主题

53

帖子

0

粉丝