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江湖告急令:pmos不正常工作,咋回事?

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楼主
tongshaoqiang|  楼主 | 2010-7-15 21:25 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
图一
如图:目的在pmos跟nmos输出端得到两路幅度为48v的方波。
我的理解,在图中B、C两点可以得到反相的正负12v(幅度为24v)的控制mos的vgs的波形。
对于pmos,当小于开启电压-4v以下且pmos的DS间接负电压时,pmos的输出为低电平。(感觉附件中pmos测量图,VGS控制波形跟其输出波形的时序不对)

感觉pmos没有工作。
以下是测量图
图二
从上图来看,黄色波形是图一中C点测的的波形。紫色波形是pmos的漏极输出,显然两者的时序不对,且pmos的输出波形的幅度也不对,正常应为48v

图三
图三是nmos的测量波形
其中黄色波形是图一中,B点的波形。紫色是nmos的输出波形。幅度是30.3v(vcc实验时候用30v代替的48v)

各位前辈高人给指点指点。可能我对pmos作为开关使用还没有掌握。


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沙发
tongshaoqiang|  楼主 | 2010-7-15 21:39 | 只看该作者
ZXMC10A816N8.pdf (183.2 KB)

pmos跟nmos用的集成的mos对。

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板凳
chunyang| | 2010-7-15 21:55 | 只看该作者
对于PMOS,栅极电位低于源极电位一定程度后(即大于开启电压)管子导通,至于输出什么得看你的电路,在负压系统中,地电平才是高电平,先去检查你的管子接线是否正确。

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地板
tongshaoqiang|  楼主 | 2010-7-16 23:10 | 只看该作者
谁能帮俺计算看看,三极管导通时,pmos栅极 上的电位是多少?
当三极管导通时候,集电极输出-12v电位,该电位经过pmos栅极串联的电阻分压后经栅极到达源极。因为对pmos的工作状态没有掌握
该pmos的开启电压最大为-2v,最小为-4v

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5
天神下凡| | 2010-7-17 13:10 | 只看该作者
pmos的栅极阻抗极大,栅极电压和三极管集电极电压是相同的。

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6
mahui843| | 2010-7-17 14:30 | 只看该作者
能正常工作才怪!光耦输入低电平时输出截止,B点高电平约+12V,C点低电平约-12V,PMOS和NMOS都导通,输出当然不正常!

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7
tongshaoqiang|  楼主 | 2010-7-17 15:36 | 只看该作者
本帖最后由 tongshaoqiang 于 2010-7-17 16:21 编辑

6# mahui843
您说的nmos跟pmos的工作状态确实是同打开同关闭,但他们有各自的漏极电阻。我觉得这种工作方式是可行的,就相当于把两种mos看成不相干的元件。不知道可否。

怀疑元件本身pmos有问题。
我用很简单的实验方法,单独实验pmos:用信号源在栅极输入正负10v的控制信号,漏源间加负20v电压,pmos还是打不开。

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8
jt4117| | 2010-7-17 15:52 | 只看该作者
三极管那个100K电阻太大了。 改小点试一试!

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9
tongshaoqiang|  楼主 | 2010-7-17 16:00 | 只看该作者
8# jt4117

基电极限流100k电阻和集电极20k电阻仅仅让三极管工作在饱和状态,不知道跟后面的pmos导通有啥关系?
能解释解释吗?

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10
jt4117| | 2010-7-17 20:45 | 只看该作者
问题是这么大的电阻,是否能让三极管工作在饱和状态!

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11
jt4117| | 2010-7-17 20:48 | 只看该作者
还有,你12v跟48v有没有共地。

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12
tongshaoqiang|  楼主 | 2010-7-17 21:41 | 只看该作者
11# jt4117

1、三极管工作在饱和状态了。计算如下,IB=24/100K=0.24ma,IC=0.24*100=24ma,RL=24V/24ma=1k,而现在RL=20k,达到了深度饱和。

2、12v跟48v是共地的。

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13
zzmwfs| | 2010-7-18 16:28 | 只看该作者
管子都接错了。

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14
tongshaoqiang|  楼主 | 2010-7-18 21:17 | 只看该作者
13# zzmwfs

说说你的意见,认为电路不对的地方的理由。
这么笼统的说法不是很科学啊。

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15
yanbing1_ren| | 2010-7-18 23:17 | 只看该作者
把MOS管的寄生二极管画出来是个好习惯;
你用的PMOS是什么型号?用在48V上,不怕把PMOS弄坏了?好奇中

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16
tongshaoqiang|  楼主 | 2010-7-19 07:49 | 只看该作者
15# yanbing1_ren
zxmc10a816n8tc
2楼附件是他的datasheet

感谢关注

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17
天神下凡| | 2010-7-19 08:04 | 只看该作者
mos管后面的接的什么负载?

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18
tongshaoqiang|  楼主 | 2010-7-19 10:31 | 只看该作者
可能是买的件的问题。
用最简单的实验:信号源输出正负10v的控制信号,加到pmos的栅极,漏极跟地接负压,还是没有打开,而换成其他型号的就能打开。

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19
tongshaoqiang|  楼主 | 2010-7-19 10:32 | 只看该作者
本帖最后由 tongshaoqiang 于 2010-7-19 10:50 编辑

17# 天神下凡
mos后的负载,怎么说呢。可以理解为空载使用。输出的两路方波经过直流高压抬高后接到A、B两点,形成高的电势点,利用AB间的压差进行工作。
1、请王工讲讲, 为使mos工作在截止跟变阻区,栅极电阻跟漏极电阻的取值跟mos跨导间的计算关系吧
2、从实验来看,mos的控制方波的幅度在工作时都有降额。比如不接mos时,光耦跟三极管集电极输出正负12v的方波信号。分别接到mos后,测量nmos栅极信号,正12v电平成了10.5v,pmos的栅极信号,负12v成了负10.5v左右。这个幅度降额是否是vgs的压降?(另外换其他型号的mos,降额有些很大,大于了vgs。例:apm4542,pmos的栅极方波信号的负电平成了负3.9v。)这个降额困扰我好久了,不知道与mos的哪个参数有关。
麻烦王工了。

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20
yanbing1_ren| | 2010-7-19 10:33 | 只看该作者
7# tongshaoqiang
这个实验是单独拿MOS管做的吗?脱离板子了吧?
你做了几个板子?都这样吗?
使用新MOS做的实验吗?
如果没有脱离板子,就怀疑你的后级电路了。
如果脱离板子还这样,就讲不通了。
怎么说ZETEX也是大厂,这种问题是不应该存在的。

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