KF8TS23XX 芯片使用注意事项

只看该作者 · 2017-6-24 17:45

芯片的 ESD 防护措施
KF8TS23XX 芯片提供满足工业级 ESD 标准保护电路。建议用户根据芯片存储/应用的环境采取适当静电防护措施。应注意应用环境的湿度；建议避免使用容易产生静电的绝缘体；存放和运输应在抗静电容器、抗静电屏蔽袋或导电材料容器中；包括工作台在内的所有测试和测量工具必须保证接地；操作者应该佩戴静电消除手腕环手套，不能用手直接接触芯片等。

只看该作者 · 2017-6-24 17:49

芯片的 EFT 防护措施
KF8TS23XX 芯片提供满足工业级 EFT 标准的保护电路。当 MCU 芯片应用在 PCB 系统时，需要遵守 PCB 相关设计要求，包括电源线、地线（包括数字/模拟电源分离，单点/多点接地等）、复位管脚保护电路、电源和地之间的去耦电容、高低频电路单独分别处理以及单/多层板选择等。

只看该作者 · 2017-6-24 17:50

芯片的 LATCH-UP 防护措施
为有效防护LATCH-UP损坏芯片，用户需保证在VDD引脚上不出现异常高压或者负压。建议用户在 VDD 和 VSS 之间并接两个 105 和 102 大小的电容，电容尽量靠近芯片的 VDD引脚。

只看该作者 · 2017-6-24 17:51

芯片的焊接
KF8TS23XX 芯片的焊接应按照工业标准的焊接要求，以免损坏芯片。手工焊接时注意焊接的温度和焊接时间。

只看该作者 · 2017-6-24 17:52

芯片的上电/断电
KF8TS23XX 芯片提供独立电源管脚。当 KF8TS23XX 芯片应用在多电源供电系统时，应先对 MCU 芯片上电，再对系统其他部件上电；反之，断电时，先对系统其他部件断电，再对 MCU 芯片断电。若操作顺序相反则可能导致芯片内部元件过压或过流，从而导致芯片故障或元件退化。

只看该作者 · 2017-6-24 17:53

芯片的复位
KF8TS23XX 芯片提供内部上电复位。对于不同的快速上电/断电或慢速上电/断电系统，内部上电复位电路可能失效，建议用户使用外部复位、断电复位、看门狗复位等，确保复位电路正常工作。在系统设计时，若使用外部复位电路，建议采用三极管复位电路、RC 复位电路。若不使用外部复位电路，建议采用复位管脚接电阻到电源，或采取必要的电源抖动处理电路或其他保护电路。具体可参照芯片的数据手册说明。

只看该作者 · 2017-6-24 17:54

芯片的内部时钟
KF8TS23XX 芯片提供内部时钟源。内部时钟源会随着温度、电压变化而偏移，可能会影响时钟源精度。具体可参照芯片的数据手册说明。

只看该作者 · 2017-6-24 17:55

芯片的初始化
KF8TS23XX 芯片提供各种内部和外部复位。对于不同的应用系统，有必要对芯片寄存器、内存、功能模块等进行初始化，尤其是 I/O 管脚复用功能进行初始化，避免由于芯片上电以后，I/O 管脚状态的不确定情况发生。

只看该作者 · 2017-6-24 17:56

芯片的管脚
KF8TS23XX 芯片提供宽范围的输入管脚电平，用户输入高电平应大于 VIH 的最小值，低电平应小于 VIL 的最大值，以免波动噪声进入芯片。对于未使用的输入/输出管脚，建议用户设为输入状态，并通过电阻上拉至电源或下拉至地，或设置为输出管脚，输出固定电平并浮空。对未使用的管脚处理因应用系统而异，具体遵循应用系统的相关规定和说明。VDD 和 VSS 之间需接 104 以上的电容，电容尽量靠近 MCU 芯片的 VDD 引脚。

只看该作者 · 2017-6-24 17:57

芯片的低功耗设计
KF8TS23XX 芯片提供低功耗设计模式，用户在实际应用中可根据应用系统的要求采用各种不同的低功耗模式，包括系统工作时钟的选择和休眠模式的选择等等。
芯片的开发环境
KF8TS23XX 芯片提供完整的软/硬件开发环境，并受知识产权保护。选择上海芯旺微电子有限公司指定的的汇编器、编译器、编程器、硬件仿真器开发环境，必须遵循与芯片相关的规定和说明。

只看该作者 · 2017-6-29 17:41

EFT 防护措施？
EET是什么东西呢？

只看该作者 · 2017-6-29 18:51

yyj8902 发表于 2017-6-29 17:41
EFT 防护措施？
EET是什么东西呢？

EET就是抗干扰技术

只看该作者 · 2017-6-30 12:20

jouney316 发表于 2017-6-24 17:56
芯片的管脚
KF8TS23XX 芯片提供宽范围的输入管脚电平，用户输入高电平应大于 VIH 的最小值，低电平应小于 V ...

其他芯片的使用，都没这么严格的。貌似Kungfu系列的单片机对电容的要求很高