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从飞凌OK6410 升级为1G NAND中看SLC技术和MLC技术的区别与发展

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群龙舞十方|  楼主 | 2010-7-16 09:53 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
原文引用自:飞凌首页 技术更新  www.witech.com.cn   
    飞凌OK6410开发板全新升级,标配1G超大容量NandFlash,让您的使用更加游刃有余。
    市面上绝大多数6410开发板仍然只是支持SLC类型的NAND。我们经过努力,实现了MLC NAND的完美支持。成为同价位开发板中唯一标配1GFlash的产品。包括wince系统在内的驱动软件经过改写,并严格测试。使用MLC的NAND可大幅提高容量和产品性价比。
备注:强大的S3C6410处理器支持MLC NANDFLASH,而这个功能在S3C2440上是不支持的。MLC NAND已经得到广泛应用,是未来的发展方向。
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    以前只是知道FLASH分为NOR和NAND,没有注意过NAND还分很多种。今天看到飞凌的升级信息,就在网上查了一下。评论不一,就拿出来和大家讨论一下,互相学习了。
    Flash闪存是非易失性存储器,这是相对于SDRAM等存储器所说的。即存储器断电后,内部的数据仍然可以保存。Flash根据技术方式分为Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash,而U盘和MP3中最常用的内存就是Nand Flash。
    Nand Flash也有几种,根据技术方式,分为SLC、MCL、MirrorBit等三种。SLC是Single level cell的缩写,意为每个存储单元中只有1bit数据。而MLC就是Multi-Level-Cell,意为该技术允许2 bit的数据存储在一个存储单元当中。而MirrorBit则是每个存储单元中只有4bit数据。
SLC的技术存储比较稳定,SLC的技术也最为成熟。然而MLC可以在一个单元中有2bit数据,这样同样大小的晶圆就可以存放更多的数据,也就是成本相同的情况下,容量可以做的更大,这也是同样容量,MLC价格比SLC低很多的原因。通常情况下相同容量的MLC和SLC,MLC的价格比SLC低30%~40%,有些甚至更低。
    区分SLC(停产)和MLC(现在主流,分新老制程,60NM 和56/50NM )
    1、看Flash的型号:根据Flash的命名规则,进行区分。
    2、测试读写速度:SLC的非常快,MLC的很慢。

    SLC闪存:即单层式储存 (Single Level Cell;SLC),包括三星电子、Hynix、美光(Micron)以及东芝都是此技术使用者
    MLC闪存:多层式储存(Multi Level Cell;MLC),目前有东芝、Renesas、三星使用,英飞凌(Infineon)与Saifun Semiconductors合资利用NROM技术所共同开发的多位储存(Multi Bit Cell;MBC)。

    除了三星,Hynix等其他存储器制造商也在向MLC闪存迈进。虽然东芝凭借多年的技术积累而在MLC技术上占据优势,但英特尔与美光科技的合资企业IM Flash也有能力结合英特尔MLC技术与美光的NAND闪存,从而在MLC型NAND闪存领域迅猛发展。
    MLC闪存技术并非没有不足,实际上,在采用先进工艺生产MLC闪存方面困难重重。随着闪存技术的演进,在浮动栅(floating gate)中存储的电荷总量减少了,使得检测存储的信息变得更加困难,尤其是对MLC芯片而言,它需要识别四个电压值,而非两个。尽管如此,据报道,东芝在70nm工艺中能够保证采用与90nm技术相同的代码纠错方案。这显示该公司并没有放慢MLC技术缩放的步伐,最少是就现在而言。
    对于我们消费者而言,最关心的就是产品的质量问题,因此,网上流传很多说法,好像只有使用SLC闪存的产品才是质量好的产品,其实不尽然,产品的质量好坏第一个关节是采用的物料的好坏,第二个关节是厂家是否在生产过程中偷工减料。这两者都是很重要的。再其次,就是产品的成熟程度,一般刚推出来的产品一般都会存在一些不为人知的问题,只能靠以后的不断改进才能使产品日趋完善
    随着MP3、MP4控制芯片的更新换代和软件控制技术的更新,克服了很多难关,目前对于MLC闪存芯片的架驽能力已经很成熟了,再加上MLC闪存生产技术的改进,因此目前很多厂家(包括IPOD)都采用MLC闪存用于消费类数码产品的生产,尤其是大容量的数码产品,非它不可!

   以上内容摘自  《SLC和MLC闪存nand flsah的区别和历史》 http://bbs.mydigit.cn/read.php?tid=110565

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