放大电路中参数计算问题求助

只看该作者 · 2010-7-17 10:33

如图为晶体管电路设计一书中提到的共发射极放大电路

设计规格
电压增益 5倍
最大输出电压 5Vp-p
频率特性任意
输入输出阻抗任意

书上说为了吸收基极-发射极间电压Vbe随温度的变化，而使工作点（集电极电流）稳定，Re的直流压降必须在1V以上，这是因为Vbe约为0.6v,然而它具有-2.5mv/度的温度特性，这是由于Vbe的变动，发射极电位也变动，集电极电流也发生变化的缘故。
看到这里有些问题就想不明白了
1 Re的直流压降为什么必须在1V以上？是怎么吸收Vbe随温度的变化？
2 这个电路中设IC=1mA，选Re的直流压降为2V，故计算出RC=10K,RE=2K
但是我觉得IC=1mA时 RE=1.5K,RC=7.5K更合适，这样集电极电压就是VCC的一半，留下更多的余量。不知道这样想对不对。

只看该作者 · 2010-7-17 11:44

个人看法了。学习中。
Re为电路中的R4电阻。在电路中启负反馈作用。当温度升高时，Q1的放大系数会增加。如果有R4，则Ve电压升高。则Vbe电压就会比原来相对减少，Ib也就随温度减少了。在经过Q1放大。IC还是比较稳定的。
所以RE起稳定作用。
如果你把RE改为1.5K，则IC电流就不是1mA了。Ic会变大的。

只看该作者 · 2010-7-17 11:47

补充下，Re会影响Q1的电压放大倍数的。RE会大，放大倍数越小。

只看该作者 · 2010-7-17 13:06

恩，看来就是负反馈的问题了，可是还是不明白为什么发射极电压必须在1v以上？
楼上可能没明白我的意识，我是设集电极电压为7.5V，IC=1mA,计算出 RC=7.5K,RE=1.5K的

只看该作者 · 2010-7-17 14:13

如果你设RE=1.5K，RC=7.5K，这个电路电路不可能IC=1mA.IC=1.4mA你的算法有问题。
Ic=1.4mA,VR3=10.5V.集电极电压能为7.5V吗？

只看该作者 · 2010-7-17 14:49

哦，是的，基极的偏置电压调整到1.5+0.6=2.1v就差不多了.
楼上我不明白为什么发射极电压必须在1v以上？
是我钻牛角尖了？

只看该作者 · 2010-7-17 17:46

因为书上在设计各个参数时是先定Re的直流压降为2v,又设定IC=1mA，根据这两个数据算出
R4=2K,R1=2.6V/0.1mA=26K ,R2=12.4V/0.1mA=124K.（电阻系统中没有这么大的电阻，故近似选为100K,22K）由于放大5倍，故R3=10K。
所以如果不明白发射极电压必须在1V以上，就不大好定各个参数了。
我的问题就是 Re的直流压降为什么必须在1V以上？是怎么吸收Vbe随温度的变化？
问题太菜了，还是请各位大侠指教。