1.Msp430的Flash存储器的特点有：
1）产生内部编程电压
2）可位、字节、字编程，可以单个操作，也可以连续多个操作
3）超低功耗操作
4）支持段擦除和多段模块擦除
2 Flash存储器的分割
Msp430Flash存储器分成多个段。可对其进行单个字节、字的写入，也可以进行连续多个字、字节的写入操作，但是最小的擦除单位是段。
Flash 存储器被分割成两部分：主存储器和信息存储器，两者在操作上没有什么区别。两部分的区别在于段的大小和物理地址的不同。
以Msp430F149为例，信息存储器有两个128字节的段，即segmentA和segmentB，主存储器有多个512字节的段。Msp430F149内部Flash的地址为0x1000H~0xFFFFH，计60K。信息段SegA的起始地址为0x1080H，信息段SegB的起始地址为0x1000H。
3 Flash存储器的操作
在默认状态下，处于读操作模式。在读操作模式中，Flash存储器不能被擦除和写入，时序发生器和电压发生被关闭，存储器操作指向ROM区。Msp430 Flash存储器在系统编程ISP（in-system programmable）不需要额外的外部电压。CPU能够对Flash直接编程。Flash存储器的写入/擦除通过BLKWRT、WRT、MERAS、ERASE等位确定。
3.1 擦除
Flash存储器各位的缺省值为1，每一位都可以单独编程为0，但只有擦除操作才能将其恢复为1。擦除操作的最小单位是段。通过erase和meras位设置可选择3种擦除模式。擦除操作开始于对擦除的地址范围内的任意位置执行一次空写入。空写入的目的是启动时序发生器和擦除操作。在空写入操作之后，BUSY位自动置位，并保持到擦除周期结束。BUSY、MERAS、ERASE在擦除周期结束后自动复位。
//====================================================================
//如果擦除一段，则设置ERASE=1
//如果擦除多段，则设置MERAS=1
//如果擦除整个FLASH，则设置RASE=1，同时MERAS=1
//====================================================================
voidEraseSectorFlash(unsigned int wAddr)
{
unsigned char reg1,reg2;
reg1=_BIC_SR(GIE);
reg2=IE1; // 保护有关中断标志
IE1=0; // 关闭IE1中断
while(FCTL3&BUSY); // 等待FLASH编程结束
FCTL3 = FWKEY;
FCTL1 = FWKEY+ERASE; // 发送FLASH擦除命令
*(unsigned char *)wAddr=0; // 启动擦除操作
while(FCTL3&BUSY); // 等待擦除操作完成
FCTL1 = FWKEY; // 撤销任何对FLASH的操作命令
FCTL3 = FWKEY+LOCK; // 对FLASH内容进行加锁保护
if(reg1&GIE) _BIS_SR(GIE); // 恢复中断标志
IE1=reg2;
return;
}
3.2 写入
写入模式由WRT和BLKWRT位进行设置。所有的写入模式使用一系列特有的写入命令，采用块写入的速度大约是单个写入的2倍，因为电压发生器在块写入完成器件均能保持。对于这两种写入模式，任何能修改目的操作数的指令均能用于修改地址。一个Flash字不能再擦除器件进行两次以上的写入。当启动写入操作时，BUSY置位，写入结束时复位。
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//向wAddr中写入bLen字节
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voidWriteFlash(unsigned int wAddr,unsigned char *bBuf,unsigned char bLen)
{
unsigned char reg1,reg2;
reg1=_BIC_SR(GIE);
reg2=IE1;IE1=0; // 保护原来中断标志，并关闭有关中断。
// 写一个字节数据到指定flash地址
while (bLen--)
{
while (FCTL3&BUSY); // 等待以前FLASH操作完成
FCTL3 = FWKEY;
FCTL1 =FWKEY+WRT; // 发送写flash命令
*(unsigned char *)wAddr++=*bBuf++;
while(FCTL3&BUSY); // 等待写操作完成
FCTL1 = FWKEY;
FCTL3 = FWKEY+LOCK; // 对FLASH内容进行加锁保护
}
if(reg1&GIE) _BIS_SR(GIE); // 恢复中断标志
IE1=reg2;
return;
}
3.3 读取
根据查看的书籍资料和网络资料得出，内部Flash的读取操作没有顺序的要求，一般Flash默认的操作方式即为读模式。读取Flash的程序代码如下：
voidReadFlash(unsigned int wAddr,unsigned char *bBuf,unsigned char bLen)
{
while (bLen--)
*bBuf++=*(unsigned char *)wAddr++;
return;
} |
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