三极管反向（倒置）接法如何分析？

只看该作者 · 2010-7-21 14:30

Q3的集电极接电源，假设24V。
发射极接负载，假设600Ohm。
ib怎么计算，多少？基极窜电阻R11,将其拉低，对ib有影响吗？
放大倍数b很小吧，算10可以吗？

3万 · 2010-7-21 15:19

“Q3的集电极接电源”
电源正端还是电源负端？
你最好将连电源和负载一起画好，再贴上来。

只看该作者 · 2010-7-21 15:48

都说倒置用法了，所以是+24V.
电路形式比较简单，负载就电阻接地，所以没画.
能说说ib怎么求吗，谢谢.

只看该作者 · 2010-7-21 15:52

为了寻求大家帮助，将图再发。

只看该作者 · 2010-7-21 15:56

刚看了一个帖子说倒置用法，是应用三极管的负阻特性，不知道怎么理解。
实际我的电路确实发生过振荡，不知是不是和这个有关。
数字电路多用这种形式吗？
设计电路本意应该是用来达到限流的目的。

只看该作者 · 2010-7-21 15:58

实际中，我将R11,和R9对调，两次电流基本上没变化。

3万 · 2010-7-21 16:00

这是集电极输出放大器，带有很强的电压负反馈。
管子的电流放大倍数很小，一般不超过10倍。
输入端不知道是否有电容，若有电容隔直，那么基极电流完全由R9提供。由于强负反馈，保证管子一定是工作于线性状态。求基极电流，必须知道管子反接时的电流放大倍数。

只看该作者 · 2010-7-21 16:18

没见过这种接法，maychang前辈讲得再详细些，谢谢

只看该作者 · 2010-7-21 16:40

本帖最后由我是新手226 于 2010-7-21 16:43 编辑

ie方向从上往下吧，请问ib是往哪个方向流？
ib是由包含发射结的回路求，还是包含集电结的回路求？
还请maychang您指教。谢谢。

4万 · 2010-7-21 17:00

楼主意思应该是将晶体管的CE对调，对调后，CE交换，原C成为现E，原E成为现C，而电路图不变，电流方向亦不变，分析方法自然也不变，这是理解的前提，只是因晶体管集电结的厚度远大于发射结，CE对调后的三极管参数将发生重大改变，最明显的就是放大倍数大幅下降，至于下降到多少由管子的结构和制造工艺决定，不能臆断说“算10可以吧”，降到接近1都是可能的，只能实验确定。

3万 · 2010-7-21 18:19

PNP管这样用，因PNP管发射结耐压较高(往往可达30V)，还可以工作。
若是NPN管这样CE颠倒用，因常见的NPN管发射结(现在当集电结用)耐压仅5～7V，根本不能用到24V这么高的电源电压。

只看该作者 · 2010-7-22 08:21

谢谢大家无私的帮助，学到了很多。
分析方法看了有点头晕，“将晶体管的CE对调，对调后，CE交换，原C成为现E，原E成为现C，而电路图不变，电流方向亦不变，分析方法自然也不变”，不是很明白什么意思，看来自己还是掌握得不好。

只看该作者 · 2010-7-22 08:28

数据手册上写的pnp发射结耐压只有5V

3万 · 2010-7-22 08:50

三极管的BE之间是个PN结，BC之间也是个PN结。所以无论是NPN管还是PNP管，CE对调之后仍是三极管，只不过原BE之间PN结(发射结)现在作集电结用，原BC之间PN结(集电结)现在作发射结用。
CE对调之后的三极管，因发射结面积大而集电结面积小(正常接法应该发射结面积小而集电结面积大)，故电流放大倍数很小，接近于1，至多只有几倍。而且一般三极管发射结耐压低而集电结耐压高，反接后发射结作集电结用，电源电压只能按照原发射结耐压设计。
若发射结耐压只有5V，那么电源电压不能用到24V。

只看该作者 · 2010-7-23 09:54

数字万用表测量三极管的bec好像就是这个原理

只看该作者 · 2010-7-23 09:55

谢谢maychang老师

只看该作者 · 2010-7-23 15:40

略懂。。

只看该作者 · 2010-7-23 19:37

新人学习中...........

只看该作者 · 2011-11-4 15:28

我也做過實驗，的確是這樣的，三極管倒置后燒了～～

三极管反向（倒置）接法如何分析？

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