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单片机IO口通过1M电阻接入高电压的问题

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楼主
在设计的时候遇到一个问题,工作电源是23串电池供电的,电压有大约72V,为了做到低功耗所以设计了点火信号,点火之后就靠MCU的IO持续控制DC-DC工作,那么现在问题来了,现在MCU的IO口要去控制三极管,而输入电源也通过1M电阻接到三极管的基极(为了保证点火启动),这样就等于IO口通过1M电阻接到了MCU的IO口,这样会不会把IO口击穿坏掉。

6U}__(UQ)BYQDCT4LE1CAPH.png (50.49 KB )

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沙发
aozima| | 2017-7-2 15:38 | 只看该作者
DCDC的控制逻辑是什么?

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cctv19881023|  楼主 | 2017-7-2 16:36 | 只看该作者
aozima 发表于 2017-7-2 15:38
DCDC的控制逻辑是什么?

点火之前,Q1是导通的,6脚上电压为低,因此DC-DC是关闭的,点火之后MCU输出低电平到Q1的基极,因此6脚上电压为高,DC-DC正常工作起来

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aozima| | 2017-7-2 17:30 | 只看该作者
本帖最后由 aozima 于 2017-7-2 17:34 编辑

简单点就是DCDC是高电平启动,启动电压是多少?
何不直接让MCU输出高电平来维持DCDC
点火时让直接给6脚电压即可;如果怕坏IO,用二极管就可以保护。
哪有这么复杂的电路,而且静态功耗还大。

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5
根本没有问题,电压会被三极管Q1的BE会钳位在0.7V,再说,就是三极管坏BE开路,流过IO的电流(一般没有说只能输入的都有寄生二极管)低于1mA,IO是可以承受的,如果只有输入功能无输出的可以在那个地方并一只二极管到MCU的VCC,正接IO,负接VCC

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6
一周一天班| | 2017-7-3 08:28 | 只看该作者
Q1换为光耦就没这问题。另外12v接入用电容识别,对产品来说是不可靠的。

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7
一周一天班| | 2017-7-3 08:32 | 只看该作者
你这电路靠硬件的互锁实现,不如mcu的睡眠方式控制。总会有uA级别漏电流,电池本身漏就不小。完全关闭一点电流没有,意义不大

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8
chunyang| | 2017-7-3 16:39 | 只看该作者
楼主电路并不存在IO过压问题,自己想想为什么。

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cctv19881023|  楼主 | 2017-7-3 20:46 | 只看该作者
chunyang 发表于 2017-7-3 16:39
楼主电路并不存在IO过压问题,自己想想为什么。

确实不解,望赐教,应该很基础的单片机IO结构问题吧

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10
chunyang| | 2017-7-4 16:10 | 只看该作者
cctv19881023 发表于 2017-7-3 20:46
确实不解,望赐教,应该很基础的单片机IO结构问题吧

跟MCU无关。

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11
cctv19881023|  楼主 | 2017-7-4 16:18 | 只看该作者

是不是因为Q1的基极最大只能到0.7V,所以单片机的IO口永远不可能超过这个电压

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12
chunyang| | 2017-7-4 16:19 | 只看该作者
cctv19881023 发表于 2017-7-4 16:18
是不是因为Q1的基极最大只能到0.7V,所以单片机的IO口永远不可能超过这个电压 ...

是的。

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