本帖最后由 tominator 于 2010-7-21 18:45 编辑
标准的EPROM具有双层栅，一个浮栅一个控制栅，各位对于其编程和擦除原理都很清楚。现在由于工艺步骤比标准EPROM单元少了一层多晶硅层，无法制造标准EPROM的浮栅，于是进行如图的设计方法：
一个EPROM单元包含两个晶体管，一个控制晶体管，一个EPROM晶体管，二者的浮栅电耦合到一起。控制晶体管的漏极（控制1）、源极（控制2）和EPROM晶体管的漏极可以直接连到一起。为了限制漏极电流，可以在控制晶体管的漏极（控制1）和源极（控制2）之间串联电阻器3（图中虚线所示，例如100欧）；也可以在EPROM晶体管的漏极和控制晶体管的源极（控制2）之间串联电阻器4（图中虚线所示）。
由这样的EPROM单元组成阵列：
如果需要，可以给EPROM单元增加漏极电流限流电阻器（未示出），不是每一个EPROM单元使用一个单独的电阻器，该电阻器R可以连在电压Vin和EPROM晶体管的漏极之间，由单一线从Vin至电阻器，而分开的线324（图2中虚线所示）从电阻器延伸至在阵列里的每一个EPROM晶体管的漏极。接着可以除去单元中控制晶体管的源极和漏极之间的连接（图2中红色叉号所示）。
EPROM单元编程电压约为16V。
请问：对于这样的阵列中的非标准EPROM单元如何进行编程、擦除和读出？
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