第三代 半导体材料——氮化镓( GaN)，作为时下新兴的半导体工艺技术，提供超越硅的多种优势。与硅器件相比，GaN在 电源转换效率和功率密度上实现了性能的飞跃，广泛应用于 功率因数校正(PFC)、软开关 DC-DC等电源系统设计，以及电源适配器、光伏 逆变器或 太阳能逆变器、服务器及通信电源等终端领域。
目前电源设计中主要运用的还是Cool-mosfet设计;随着GaN MOS的普及,GaN MOSFET将革新在电源/光伏,逆变,汽车,电机控制方面的应用;GaN的主要优势在于更高的工作温度。GaN提供高电子迁移率;更高的开关频率;而低损耗加上宽带宽器件的高结温特性，可降低散热量，高开关频率可减少滤波器和无源器件如变压器、电容、电感等的使用，最终减小系统尺寸和重量，提升功率密度，有助于设计人员实现紧凑的高能效电源方案.
在开关电源设计中采用Transhporm(全球第一家认证过的GaN企业)的TPH3202与TPH3206,适用于在100-1200W的开关电源;![]()
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