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可控硅的问题

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worldpy|  楼主 | 2010-7-25 20:45 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
想用双向可控硅和光耦组合使用,控制用电器,220V市电,G极串上一个电阻连到220V上。选用双向可控硅是BTA08-600C,查了datasheet,对于Igt这个值有点疑问。我看到有的人说,datasheet里的Igt在实际设计中要取至少要大于这个值的。请问这个驱动电阻值应该怎么选,Igt到底应该满足多大的值。
     我实际电路试过,选的电阻1K,可以触发的,但如果用220/1k=220mA的Igt远远大于datasheet里的IgtMAX,25mA。也许我Igt的计算方法不对,Igt应该怎么算呢,或者怎么能测出来呢,我把万用表串进去,可控硅一导通,电流就迅速降下来了,测不出那瞬间的值。谁能帮我解答一下,十分感谢啊!

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沙发
chunyang| | 2010-7-25 22:16 | 只看该作者
稍大于触发门限电流就可以了,一般取1.2-1.5倍。IGT MAX指门限电流的最大值并非触发电流的最大值,器件有离散性,取的是离散值中的最大值,本身却是触发电流的极小值即门限值。

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