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功率场效应管或功率MOSFET，适用于信号处理的小功率MOSFET晶体管基础上发展起来的，是基于单极性工作原理的电力电子器件。比起小功率的MOSFET原型或者说是器件元胞尺寸要比小功率双极型电力电子器件小得多，处理功率也要低得多。为了能够处理较大的功率，功率MOSFET需要比店里晶体管更多的元胞，因此功率MOSFET的工艺技术远比电力晶体管复杂，造成成本也更高。为了提高迁建的工作电压和降低导通损耗，器件的结构采用了类似电力晶体管的垂直结构。如下图是N沟道功率MOSFET（简称VMOSFET）结构示意图：
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功率MOSFET是由两个背靠背的PN结构成的，其中间的半导体区域不像电力晶体管那样注入少数载电流，而是通过对其施加垂直方向的电场来改变导电性质连通原本孤立到半导体导电区域。
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