哪位高人懂得N76E003的FLASH擦写次数？

只看该作者 · 2017-8-4 11:55

最近看到N76E003资源丰富，价格也不高，18K的FLASH，双串口，12位AD都是好东西呀。不过没有EEPROM，查了下说是FLASH可以代替EEPROM用来存掉电数据，不过我的应用读写次数比较多。不懂这芯片的FLASH可以写多少次，文档上好象没写有，也有可能是我没看到。

只看该作者 · 2017-8-4 12:05

查到了，是十万次

只看该作者 · 2017-8-4 16:04

是的，据说10W次。。不过为了安全一定别总对着一个位置写，搞个算法来控制这个写入位置循环设定。

只看该作者 · 2017-8-4 21:23

至少1W次。。通常10W次。。。

只看该作者 · 2017-8-4 22:38

以前做烂的51是5000次，后来1W次，现在10W次。

只看该作者 · 2017-8-6 20:55

谢谢各位建议，一万次换地方

只看该作者 · 2017-8-7 15:53

新唐的还是很给力的，Flash空间大。

只看该作者 · 2017-10-8 10:58

jiekou001 发表于 2017-8-4 16:04
是的，据说10W次。。不过为了安全一定别总对着一个位置写，搞个算法来控制这个写入位置循环设定。 ...

没有单个地址的擦写．只有一页，128个字节擦写啊．

只看该作者 · 2017-10-9 09:39

10W次，这款IC性价比还是挺高的，关键还兼容ST的003

新唐代理小甘
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只看该作者 · 2017-10-9 22:47

最近两年出的应该都可以到10万次擦写的，不过算法上最好循环写

只看该作者 · 2017-10-11 16:15

Cheky 发表于 2017-10-8 10:58
没有单个地址的擦写．只有一页，128个字节擦写啊．

我意思是你不能总在一块里面写，第一页用完了，擦掉，但是再写的时候写第二页。