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[技术问答]

哪位高人懂得N76E003的FLASH擦写次数?

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cycis|  楼主 | 2017-8-4 11:55 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
最近看到N76E003资源丰富,价格也不高,18K的FLASH,双串口,12位AD都是好东西呀。不过没有EEPROM,查了下说是FLASH可以代替EEPROM用来存掉电数据,不过我的应用读写次数比较多。不懂这芯片的FLASH可以写多少次,文档上好象没写有,也有可能是我没看到。
沙发
cycis|  楼主 | 2017-8-4 12:05 | 只看该作者
查到了,是十万次

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jiekou001| | 2017-8-4 16:04 | 只看该作者
是的,据说10W次。。不过为了安全一定别总对着一个位置写,搞个算法来控制这个写入位置循环设定。

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21mengnan| | 2017-8-4 21:23 | 只看该作者
至少1W次。。通常10W次。。。

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天灵灵地灵灵| | 2017-8-4 22:38 | 只看该作者
以前做烂的51是5000次,后来1W次,现在10W次。

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6
cycis|  楼主 | 2017-8-6 20:55 | 只看该作者
谢谢各位建议,一万次换地方

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zhuomuniao110| | 2017-8-7 15:53 | 只看该作者
新唐的还是很给力的,Flash空间大。

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Cheky| | 2017-10-8 10:58 | 只看该作者
jiekou001 发表于 2017-8-4 16:04
是的,据说10W次。。不过为了安全一定别总对着一个位置写,搞个算法来控制这个写入位置循环设定。 ...

没有单个地址的擦写.只有一页,128个字节擦写啊.

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9
Nancygan| | 2017-10-9 09:39 | 只看该作者
10W次,这款IC性价比还是挺高的,关键还兼容ST的003






新唐代理小甘
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zhuotuzi| | 2017-10-9 22:47 | 只看该作者
最近两年出的应该都可以到10万次擦写的,不过算法上最好循环写

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11
jiekou001| | 2017-10-11 16:15 | 只看该作者
Cheky 发表于 2017-10-8 10:58
没有单个地址的擦写.只有一页,128个字节擦写啊.

我意思是你不能总在一块里面写,第一页用完了,擦掉,但是再写的时候写第二页。

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