N沟道结型场效应管

只看该作者 · 2017-8-6 15:23

在N沟道结型场效应管中栅极-源极之间加负电压（即栅极为负），应为栅极为P型半导体，加负电压后空穴在电场做一下向栅极靠拢，耗尽层变窄；但是书上说耗尽层变宽了。请解释下我什么地方理解错了。

只看该作者 · 2017-8-6 15:57

应该是变宽了吧，栅源级加负电，栅极的电子向源级移动，在耗尽层外围和空穴复合使耗尽层变宽

只看该作者 · 2017-8-6 16:10

xukun977 发表于 2017-8-6 16:01
栅加负电叫P型，于是加正电叫N型？
N型还是P型由外加电极确定的？

应该是我表述的不够清楚吧，不是您理解的那个意思

只看该作者 · 2017-8-6 16:17

ysir1782888295 发表于 2017-8-6 15:57
应该是变宽了吧，栅源级加负电，栅极的电子向源级移动，在耗尽层外围和空穴复合使耗尽层变宽 ...

我的理解是N型半导体上空穴是少子，可以忽略；栅极加负电，P区的空穴向栅极移动，使得电子和空穴的复合向两边移动，耗尽层变宽。虽然知道自己是错的，但是还是说服不了自己

只看该作者 · 2017-8-6 16:29

dd116 发表于 2017-8-6 16:17
我的理解是N型半导体上空穴是少子，可以忽略；栅极加负电，P区的空穴向栅极移动，使得电子和空穴的复合向 ...

我觉得P区耗尽层变宽是栅极过来的电子导致的，不是从源级过来的电子导致的

只看该作者 · 2017-8-6 16:37

我把重心放错了，谢谢您，至少这个理解方法能让我继续把书看下去。

1万 · 2017-8-6 22:33

PN结是反偏的，电压越高，耗尽区越宽

只看该作者 · 2017-8-10 08:44

PN结是反偏的，电子远离耗尽层，使耗尽层裸露出不能移动的正负离子增加，从而使耗尽层变宽，导电沟道变窄