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[电子元器件]

N MOSFET VGS(th)和管子导通的关系 ？

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JobShare|  楼主 | 2017-8-10 00:07 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
FET, MOS, MOSFET, os, se
本帖最后由 JobShare 于 2017-8-10 00:14 编辑

如下图所示，为AOT290L/AOB290L( N MOSET )的部分参数。
其中，VGS(th)的值为：Min，2.9V ；Typ，3.5V；Max，4.1V .

请教：我对VGS(th)参数 和 管子 导通的关系 理解如下，不知 是否正确，还请前辈、大侠 指点（轻拍）：
1. 当VGS(th)≥4.1V时，所有的此规格的MOSFET均导通 ；
2. 当2.9V≤VGS(th)<4.1V时，此规格的MOSFET有可能导通（也有可能不导通）；
3. 当VGS(th)<2.9V时，所有此规格的MOSFET均不导通。

谢谢 ！

附图


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Lgz2006| | 2017-8-10 08:05 | 只看该作者
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Lee_3| | 2017-8-10 08:37 | 只看该作者
导通电压是指通道开启，但是电压越大开的越展，直到接近一个上限。你看手册底下的曲线图就知道了。

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lornheart| | 2017-8-10 09:19 | 只看该作者
测试条件下的VGS（th）大部分在3.5V导通，有一小部分mos在两头电压，大于4.1V肯定导通。

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5楼
Wattle_He| | 2017-8-10 10:05 | 只看该作者
本帖最后由 Wattle_He 于 2017-8-10 10:07 编辑

可以这么理解
不过还要清楚所谓的“导通”仅仅是漏极电流达到了某个值而已
能不能承载你所希望的电流还得看曲线

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6楼
airwill| | 2017-8-11 12:48 | 只看该作者
可以这么理解, 不过这个参数受温度的影响很大, 要注意温度条件.

实际上,  MOSFET 的工艺的因素, 其实参数没有这么大差别. 可以理解为 MOSFET 的出厂检验规范

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