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MOS管2103的发热研究,有图

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楼主
如图所示,这个单片机驱动两个2SK2103工作,一个是直接5V电压过去的,另一个是PWM调制的,2SK2103都是ROHM公司出的,我第一批芯片过来,都好的。第二批过来时,发现装上去都是发热的,DS压降有5了都,好的是0.25V的。然后叫供应商换,换的1000个过来,结果其压降是0.28V。试了12片,其中就有一片是发热的。一开始是好的。过了半分钟,DS压降就跳成5V左右了。
注:电源12vDC,由适配器供应,2SK2103资料上写的是4v低电压驱动的。
第一批上写激光印:KA   A(有面有一划)芯片中间有个小圆点,里面有字(合格)
第二批上写激光印:KA  P12    芯片中间有小圆点,圆点里没有字。(全部不合格)
第三批是白色的印刷的(12个,就一个坏)
希望懂MOS管的朋友指点是,是不是我电压驱动太低还是什么。。

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23.JPG

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沙发
英雄无敌六| | 2010-8-17 11:25 | 只看该作者
is very easy.change R6,R9 to 1K.

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板凳
张骏洋|  楼主 | 2010-8-17 11:35 | 只看该作者
R6 R9都是10K的。。
如果换成1K的话。驱动电压就只有2.5v 了。更驱不动了呀

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地板
yewuyi| | 2010-8-17 11:42 | 只看该作者
两个电阻都可以去掉的吧。

可能是MOS开关速度响应太慢造成的。

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张骏洋 + 1 把驱动电阻短路能起到作用。
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yewuyi| | 2010-8-17 11:45 | 只看该作者
LIERDA是ROHM的合格代理商。

如果怀疑货源有问题,可联系利尔达。

另外,查看DATASHEET中的典型驱动连接电话,MOS管属于电压驱动型,控制级本身是高阻抗的,所以没必要再连接限流电阻,连接了反而造成响应速度降低。

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张骏洋 + 1 谢谢提供货源
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yewuyi| | 2010-8-17 11:46 | 只看该作者
如果是高电压驱动的的MOS管,4V低电压驱动一般应该指的是最低电压

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张骏洋|  楼主 | 2010-8-17 12:12 | 只看该作者
现在我其中一个是直接高电平的。没有PWM的。也一样发热。
而且在DATASHEET里,有显示3V都行。所以与响应无关。

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8
张骏洋|  楼主 | 2010-8-17 12:13 | 只看该作者
不知道你们有没有好的MOS管能介绍用用呀。我这个是单片机5v的输出,
用电器是一个发热线,12V 10W 的,,还有两个小电机,12v0.2A。。。 小电机是PWM的。发热线是直接高电平的。

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sign66| | 2010-8-17 12:48 | 只看该作者
本帖最后由 sign66 于 2010-8-17 12:51 编辑

直接驱动啊,热是不可避免的,我觉得,最好加上光耦隔离驱动,增大驱动功率。

看你的单片机输出信号还加上1k的电阻,这样驱动能力不足,肯定不得行。。。

建议单片机经光耦后驱动开关管。。。。

mosfet的基极驱动能力不足,门是不能完全打开,就像人用力开门一样,力气大门开的

大,这样进进出出就很自如,电流一样的

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张骏洋 + 1 多谢指点。
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张骏洋|  楼主 | 2010-8-17 13:02 | 只看该作者
这个是小功率的。而且要小成本。我现在试下不用电阻。呵呵。那下拉的电阻也不要了??我原来的都行。不知道为什么。。1000片。都能用。

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张骏洋|  楼主 | 2010-8-17 13:37 | 只看该作者
直接驱动啊,热是不可避免的,我觉得,最好加上光耦隔离驱动,增大驱动功率。

看你的单片机输出信号还加上1k的电阻,这样驱动能力不足,肯定不得行。。。

建议单片机经光耦后驱动开关管。。。。

mosfet的基极驱动 ...
sign66 发表于 2010-8-17 12:48

我估计那个芯片是假的。。我直接用12伏接G极也一样发热。。估计这个芯片是假的。

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英雄无敌六| | 2010-8-17 13:58 | 只看该作者
限流电阻一定要加,下拉电阻一定要小。为什么?
因为MOS的G一般存在电容,开关频率高,瞬间脉冲电流是很大的。所以一定要限流电阻,几十几百欧都可以。
至于下拉,MOS特性和场效应管特性接近,负电压完全关断。单电源也能,但必须非常逼近0V。MCU的io输出的低电平最好不要相信,加个1K的下拉电阻是安全的。
至于非常发热,估计和没完全关断有关。

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张骏洋 + 1 嗯我去试下。
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英雄无敌六| | 2010-8-17 14:02 | 只看该作者
MOS的高速开关电路,一般使用专门的桥式推挽,就是针对LZ这样的问题的。

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14
yewuyi| | 2010-8-17 15:07 | 只看该作者
MOS的高速开关电路,一般使用专门的桥式推挽,就是针对LZ这样的问题的。
英雄无敌六 发表于 2010-8-17 14:02


呵呵,看看桥式推挽有没有所谓的限流电阻?!


发热无非就是在MOS管上的压降大了,大的原因有可能是MOS管没有完全导通,也可能是没有完全关断,也可能是ESD击穿,也有可能其它别的原因。

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英雄无敌六| | 2010-8-17 17:08 | 只看该作者
呵呵,看看桥式推挽有没有所谓的限流电阻?!


发热无非就是在MOS管上的压降大了,大的原因有可能是MOS管没有完全导通,也可能是没有完全关断,也可能是ESD击穿,也有可能其它别的原因。 ...
yewuyi 发表于 2010-8-17 15:07


桥式推挽功率大啊,MCU的IO这样接,烧坏的可能非常大

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16
yewuyi| | 2010-8-17 17:45 | 只看该作者
桥式推挽功率大啊,MCU的IO这样接,烧坏的可能非常大
英雄无敌六 发表于 2010-8-17 17:08



呵呵,那为什么推挽就不会烧坏呢?功率大就不怕短路了吗?

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张骏洋|  楼主 | 2010-8-18 07:45 | 只看该作者
14# yewuyi
你说得对。是因为没有完全导通。管子上的压降都有5v到8V左右呢。  
不过我的板子不是PWM而是直接当开关用的。就一个高电平在那里。
后来我试过用直接的5V接上去。他还是发热。直接的12V接上去也是发热。。
我估计这个管子有毛病。

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18
jiabin1024| | 2010-8-18 09:06 | 只看该作者
14# yewuyi  
你说得对。是因为没有完全导通。管子上的压降都有5v到8V左右呢。  
不过我的板子不是PWM而是直接当开关用的。就一个高电平在那里。
后来我试过用直接的5V接上去。他还是发热。直接的12V接上去也是发热 ...
张骏洋 发表于 2010-8-18 07:45
直接12V接上去的管压降是多大,此时电流时多大?  也不排除管子是假的,我觉得你选用的管子的参数有点偏低。

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一级菜鸟| | 2010-8-18 09:19 | 只看该作者
呵呵,那为什么推挽就不会烧坏呢?功率大就不怕短路了吗?
yewuyi 发表于 2010-8-17 17:45


电阻是必须的,10欧姆够了,IO直接驱动不加电阻,瞬间电流很容易让MCU跑飞,介个不知烧坏不烧坏的问题。

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yewuyi| | 2010-8-18 09:55 | 只看该作者
电阻是必须的,10欧姆够了,IO直接驱动不加电阻,瞬间电流很容易让MCU跑飞,介个不知烧坏不烧坏的问题。
一级菜鸟 发表于 2010-8-18 09:19


栅极的电容很小,虽然导通瞬间接近短路,但时间实在是很短,对于很多支持IO强输出的MCU来说,依靠MCU内部IO口的输出等效电阻即可,当然,如果不放心,也只能接一个很小的电阻,例如你说的10欧姆,但上K欧肯定是大幅度增加了开关损耗造成发热增加。

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