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请教:EEPROM的内部结构是怎么样的?

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palmy|  楼主 | 2010-8-17 22:10 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
chunyang| | 2010-8-18 00:18 | 只看该作者
EEPOROM的电路结构可以在网上搜,但传统结构的EEPROM不是按页面或扇区读写的,而是按字节进行操作,Write Cycle Time指写入数据所需要的时间。

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autopccopy| | 2010-8-18 08:41 | 只看该作者
本帖最后由 autopccopy 于 2010-8-18 08:43 编辑

回LS: "write cycle time" 不是写入的时间, 而是有效擦写次数(擦写寿命), 一般EEPROM都标称100万次,而我最近测试了 微芯的 24LC08A, 有些单元可以达到1600万次(超标16倍)。而FLISH一般DS都标称10万次。而FM24xx 铁电芯片是特殊技术,有SRAM和EEPROM的特性,兼容24Cxx系列, 号称可擦写100亿次!:lol

我的一次测试:http://www.zmdz.com/bbs/forum_read.asp?id=71519&page=1&property=0&ClassID=0

9011261603.jpg (138.37 KB )

AT的24C和微芯的24系列DataSheet都写着100万次

AT的24C和微芯的24系列DataSheet都写着100万次

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