求助：关于mos管全桥驱动

只看该作者 · 2010-8-26 13:54

最近做逆变器，前面电路都测试好了，但是全桥上遇到问题了，实验室里只有N MOS管了，所以只能用变压器隔离驱动，对于结电容的泄流有什么好的办法吗？前阵子做开关电源烧管子烧怕了，网上那些简易电路觉得不放心……死区控制能不能利用数字门的传输延时来做？

3万 · 2010-8-26 15:16

1、不一定要用变压器隔离驱动，可以用专用的驱动芯片，不过稍贵。
2、不知道“结电容泄流”是什么意思。
3、数字门电路的传输延时比你需要的死区时间小得多，不够用。

只看该作者 · 2010-8-26 15:24

谢谢版主回复，因为现在全桥四个管子都是n沟道的，暂时没有找到合适的驱动芯片，可能也不太好买。现在是担心变压器线圈的电感作用导致mos管栅极结电容上的电荷不能及时泄放导致不能关断……要是门电路不好用，可能真得找专用芯片去了，分立的太复杂成本也不低

3万 · 2010-8-26 16:00

3楼：
这种驱动芯片就是专用于全桥和半桥电路的。买倒是好买，价格贵一些。
变压器绕组电感？你是想说驱动变压器漏感吧？MOS管哪有什么栅极结电容？根本没有什么“结”。

只看该作者 · 2010-8-26 16:10

如果用变压器隔离驱动的话，用一个9012，1N4148和一个1K的电阻就可以泄流了

只看该作者 · 2010-8-31 14:28

现在用了ir2110驱动了，有个问题，低端输出波形非常好，高端输出在H桥不加电压的时候也很好，但是一旦桥上通电带了负载，芯片的高端输出就烧掉了，低端没有问题，已经烧了5片了，自举二极管是BYM26C，自举电容用的104的薄膜电容，请问烧芯片是什么原因？

只看该作者 · 2010-11-9 20:33

可以用成品驱动板,IR2110电路图贴出来才能分析问题.

1万 · 2010-11-10 08:28

上图吧。

1万 · 2010-11-10 14:49

自举电容太小了, 上管不能完全导通, 功耗过大, 以至于过热烧掉.

另: 死区控制能不能利用数字门的传输延时来做？不能, 原因:
1. 时间长度不够;
2.时序也不容易实现, 因为要求 "上管关后延时下管开" 和 "下管关后延时上管开", 上下降沿的电路要分开做.

只看该作者 · 2010-11-11 02:02

芯片的高端输出就烧掉了，低端没有问题
是芯片还是管子？
如果是芯片
是不是过压问题
电容小？但是好像ir有欠压保护哟
还有电容和工作频率批不匹配

只看该作者 · 2010-11-11 02:03

二极管是不是快恢复的