为什么这个电路会烧MOS管?

只看该作者 · 2010-8-28 17:33

纠正NTC是5D-15

1万 · 2010-8-29 12:33

如楼上所言，是Q41没有饱和所致。
楼主电路中，首先MCU IO的高电平输出能力要足够才能驱动LED，这要求必须是强上拉型IO，否则要加缓冲驱动，最好采用负逻辑设计。R41要根据驱动电压来正确选择，LED的工作电流可取1－5mA。另外，D41多余、R42多余，R43的阻值可以大幅增加，MOS管是电压驱动型器件，不要无谓的增加不必要的功耗。
Q41的正常功耗：Q41电流的平方乘以其饱和导通内阻。
chunyang 发表于 2010-8-28 20:07

春阳老师在这小问题上翻船，俺没想到啊。

此电路是一个非常经典的小电流MOS管驱动电路，但LZ将之移到大电流应用上，水土不服，出了点小问题。

1. 烧MOS管不是由于Q41没有饱和所致，而是由于驱动电流不足，驱动大功率MOS管时（由于其栅极电容的存在），无法快速对其栅极电容充电，引起栅极电压上升缓慢，切换功耗大大增大，引起烧MOS管。

2. D41不能省，一般MOS管的栅极极限电压为15-16V, 此稳压管起保护MOS管作用，防止过高电压（本电路去掉R42时可高达+30V !）对MOS管的栅极冲击引起击穿损坏。

3. R42不能省，起到限制光耦最大输出电流，及对IN4744A的限流作用。由于光耦的最大输出电流一般较小，过份减小R42加大光耦输出电流，易引起光耦加速老化及损坏，因此，比较好的方法是在光耦输出端用NPN三极管加一级射极跟随器, 放大输出驱动电流。
另外，可在R45上并联一只几十至百皮皮法的小电容，起加速MOS管的饱和。

4. R43不能大幅增加，一般加大到10K为上限，其原因在于，当MOS管关断时，储存一定驱动电压的栅极电容通过R43放电，最终将MOS管关断，如R43太大，MOS管关断时间增加，关断速度减慢，引起关断时的切换功耗大大增大，引起烧MOS管。当然，最好的方法是在栅极加负压，加速MOS管关断，但这样成本会高些。

2万 · 2010-8-28 19:43

估计nmos没完全导通导致管子发热。

4万 · 2010-8-28 20:07

如楼上所言，是Q41没有饱和所致。
楼主电路中，首先MCU IO的高电平输出能力要足够才能驱动LED，这要求必须是强上拉型IO，否则要加缓冲驱动，最好采用负逻辑设计。R41要根据驱动电压来正确选择，LED的工作电流可取1－5mA。另外，D41多余、R42多余，R43的阻值可以大幅增加，MOS管是电压驱动型器件，不要无谓的增加不必要的功耗。
Q41的正常功耗：Q41电流的平方乘以其饱和导通内阻。