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[求助]请教IR2125驱动mos管问题

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bkylin|  楼主 | 2010-8-30 20:24 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS管, hm, hms, 电容, FET
电路如图所示，其中mosfet用IRF540N,Rg=51ohms.自举电容改为1uF。load=100ohms.IN为5V 1HZ方波，占空比50%。结果测得自举电容的输出高电平只有十几毫秒。如果所示，请教是什么原因？

1283156524_40098_26222_ScreenHunter_1.jpg (53.58 KB )

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1283156671_53829_25977.jpg (52.61 KB )

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沙发
xwj| | 2010-8-30 20:29 | 只看该作者
当然，只有十几毫秒，自己去想下1uF的电容上能存储多少电荷了？时间常数是多少？


PS：
把反压电路下端的100k/1W的电阻值改小即可工作了

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板凳
bkylin|  楼主 | 2010-8-30 21:11 | 只看该作者
本帖最后由 bkylin 于 2010-8-30 21:12 编辑

多谢，我明天试试

但是你看那张图里Vbs上始终有12V的电压呀，这说明1u的电容一直是充满的呀

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地板
gaohq| | 2010-8-31 01:52 | 只看该作者
下面那一堆电路是干嘛的？

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5楼
bkylin|  楼主 | 2010-8-31 15:55 | 只看该作者
充电泵

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6楼
shenwangbin| | 2010-9-9 10:51 | 只看该作者
频率低了一点，下面的芯片应该跟上面的芯片时序上应该控制好！

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