这个MOS管这样用G极要不要加保护。

发表于 2010-8-31 18:28

20楼：
感性负载，是在关断时可能出现高电压。
感性负载必须在负载两端并联二极管续流或采取其它限制电压的措施。

发表于 2010-9-1 08:25

很有创意耶

发表于 2010-9-1 09:30

基本上要加多一个二极管和一个电容器

发表于 2010-9-3 15:27

MOS管的开关速度比光耦要快得多，
即便不考虑光耦，以8mA工作电流计算，负载电阻约为3K，
3K电阻给MOS管栅极充电，假设MOS管栅极电容为1000pF,那么时间常数为3uS,
远大于MOS管导通需要的时间

发表于 2010-9-3 22:30

同楼上，
其实光耦理解为为光控三极管，放大倍数有限（<300%），而又有2k的下拉电阻，想上24V难啊！

到是应该考虑光耦CE耐压的问题，
要是击穿了可是什么都不好说了！

发表于 2010-9-4 00:25

本帖最后由 awey 于 2010-9-4 00:27 编辑

没看出这个电路用三极管会饱和的，BCP56的频率是130MHz，远远大于工作频率。

从现象看，怀疑光耦的频率特性太差，因为三极管是电流驱动的，光耦在频率比较高时，
输出的电流反应变慢，即电流高端不能到达最大值，低端不能到0，表现为三极管在高端压降变大，
低端不能关断。

而改用MOS管后，MOS管是电压控制的器件，光耦输出的高端电流即使比较小，也不影响MOS管的导通，
再有MOS管的导通电压Vth比较高，即使光耦因频率特性差，高频时输出电流的低端不能到0，
但只要Vgs<Vth，MOS管也能关断

记得曾经用普通光耦做串口通讯，光耦初级电流5mA，频率上9.6KHz，都够呛，楼主的初级只有2mA，
只能上3KHz该属正常。

登录 · 发表于 2010-9-4 09:41

本帖最后由 mmax 于 2010-9-4 09:46 编辑

用户电路是红色部分，24Vdc，3k电阻，光耦。

away老大，光耦If越大，速度越慢吧，就跟三极管的深度饱和一样，越深越慢。
调了几个If参数也是这样，我特意把If调小的。

如果是NPN三极管，应该正好工作在Ic = Beta*Ib，(Beta:放大倍数) 临界饱和？

这个MOS管这样用G极要不要加保护。

本帖子中包含更多资源

浏览过的版块

无冕之王奖章

技术奇才奖章

七世轮回

沉静之湖泊