MACOM以分立器件、模块和单元的形式提供广泛的射频功率半导体产品，支持频率从DC到6GHz。高功率晶体管完美匹配民用航空、通讯、网络、雷达、广播、工业、科研和医疗领域。
MACOM的产品线借助于MACOM六十多年的技术传承，运用bipolar、MOSFET和GaN技术，提供标准和定制化的解决方案以满足客户最严苛的需求。
射频功率晶体管 - 硅基氮化镓 (GaN on Si)
MACOM是全球唯一在射频领域采用硅基氮化镓（GaN on Si）技术的供应商。我们采用硅基氮化镓（GaN Si）技术以分立器件、模块和单元的形式提供广泛的连续波（CW）射频功率晶体管产品，支持频率从DC到6GHz。
MACOM的高功率连续波和线性晶体管完美匹配民用航空、通讯、网络、长脉冲雷达、工业、科研、以及医疗领域。我们的产品线借助于MACOM六十多年的技术传承，运用硅基氮化镓（GaN on Si）技术，提供标准和定制化的解决方案以满足客户最严苛的需求。MACOM公司的硅基氮化镓产品（可用作分立晶体管和集成放大器）采用0.5微米 HEMT工艺，宽带应用下，在功率、增益、增益平稳度、效率、健壮性方面展现出了卓越的射频性能。
射频功率晶体管 - 硅双极
MACOM公司以分立器件、模块和单元的形式提供广泛的双极（Bipolar）射频功率晶体管产品，支持频率从DC到3.5 GHz。我们的高功率双极晶体管完美匹配民用航空、通讯、网络、雷达、工业、科研、以及医疗领域。我们的全镀金制造工艺确保了产品的高性能和长期可靠性。我们的双极晶体管旨在为用户严苛的应用提供可靠的解决方案。
射频功率晶体管 - 硅MOSFET
MACOM公司以分立器件的形式提供广泛的TMOS和DMOS射频功率MOSFET晶体管产品，支持频率从DC到1.0GHz。我们的高功率MOSFET晶体管完美匹配民用航空、通讯、网络、雷达、工业、科研、以及医疗领域。我们的全镀金制造工艺确保了产品的高性能和长期可靠性。我们的MOSFET晶体管旨在为用户严苛的应用提供可靠的解决方案。
GaN和GaAs器件偏置保护模块
MABC-001000-DP000L偏置控制模块利用耗尽型半导体技术为碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）、硅基氮化镓（GaN on Si）、砷化镓（GaAs）射频功率晶体管或模块提供准确的栅极电压和脉冲漏极电压。
射频功率 - 硅双极单元和模块
MACOM公司提供广泛的双极（bipolar）射频功率放大器单元，支持频率覆盖1.0GHz到3.5GHz。我们的高功率射频单元完美匹配民用航空、雷达、工业、科研、以及医疗领域。我们的全镀金制造工艺确保了产品的高性能和长期可靠性。我们的单元产品旨在为用户严苛的应用提供可靠的解决方案。
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