to LZ:
MOSFET 和 BJT 的工作区域的命名有所不同。BJT 中的截止,放大和饱和区相对于 MOSFET 为截止,饱和,变阻区。MOSFET有个参数Vt——开启电压。当 Vgs < Vt 时,MOSFET处于截止状态,即截止区。当 Vgs > Vt 且 Vds > Vgs - Vt 时,为饱和区。当 Vgs > Vt 且 Vds < Vgs - Vt 时,MOSFET处在变阻区。
如果忽略沟道的长度调制效应,MOSFET的饱和区就是相当于受控恒流源。通常用其作为放大区域使用(类比BJT的放大去)。MOSFET的变阻区相当于一个受Vgs控制的变阻器,当Vgs增大时沟道电阻变小。通常功率 MOSFET 的 Rds 可以降到非常之小,以便流过较大的电流。利用 MOSFET 截止区和变阻区的特性,就可以将 MOSFET 应用于 逻辑或功率开关。 |