关于运算放大器以及MOSFET的3道模电题目

只看该作者 · 2010-9-14 09:32

本帖最后由 Longgui 于 2010-9-15 20:12 编辑

小弟急用。题目更新在附件中，如果都能做出来，小弟愿意额外付钱，我qq 984988692
感谢5楼的大哥帮忙贴图，第一题问题在5楼，第二题在6楼，第3题贴在14楼，请各位多帮忙

2万 · 2010-9-14 09:42

书不是这样读的....

如此，还不如早些打工赚钱，孝顺父母。

只看该作者 · 2010-9-14 09:52

2# HWM
我也很惭愧，但模电离我的本身专业有点远，所以才会这么无力，希望大家帮帮我吧，真的急用

只看该作者 · 2010-9-14 20:00

只看该作者 · 2010-9-14 20:20

帮你贴图

现在假设运算放大器为非理想运放，并且有以下参数:
输入偏置电流 IB = 120pA
输入偏移电流 Iio = ±10pA
输入偏移电压 Vio = ±80μV
3）
用以上数据,计算出由总输入电流在每个输入端的IB和Iio的影响导致的输出偏移电压 |VOS|，并且用它的值求出由于总输入偏置电流导致的输出偏移电压的最坏情况。
4) 计算出由输入偏移电压Vio导致的输出偏移电压|Vos|。

5) 根据以上结论，求出在输入偏置电流和输入偏移电压作用下所产生的输出偏移电压|VOS|的最坏情况。使用了哪种电路分析原理？

只看该作者 · 2010-9-14 20:21

第二题

双极结式晶体管（BJT）
a) 素描一个NPN双极晶体管结构。在图表中显示出当偏压在主动模式下，电子和空穴在流动，在主动模式偏颇设备流动。
b)假设为一个理想的BJT, 素描出集电极电流(IC) 以作为一个集电极－发射极电压函数(VCE)。显示不同的基极-发射极电压值(VBE)所产生的影响. 并且清楚地表明饱和，正向积极，主动和反向截止区域.

c) 再一次素描出集电极电流(IC) 以作为一个集电极－发射极电压函数(VCE)。这次所要考虑的是一个有限的输出电阻的影响，然后指出厄利电压(VA).

MOSFETs
d)画出一个N沟道MOSFET的结构。并指出在通道中反型层.

e) 假设为宜个理想晶体管，画出漏电流(ID) 以作为一个漏源电压 (VSD)的功能（函数）. 显示该门源不同的电压值VGS所产生的影响。此外，清楚地表明，饱和度，欧姆（三极管）和截止区

f) 解释MOSFET设备的有限输出电阻的起源

只看该作者 · 2010-9-14 20:22

太过于理论化了
我是回答不上来呀·········

1万 · 2010-9-14 22:06

本帖最后由 zjp8683463 于 2010-9-14 22:09 编辑

你把电容看成1/CS,很容易得出传递函数,算出零极点,bode图也就出来.
第二个图是T型反馈网络,不会用等效的话,自己用电流分流算下吧.
Vos,Ios运放书应该很多都有.
BJT和MOS的问题都是很书本的问题,有兴趣就看书吧.没兴趣随便看看就行了

只看该作者 · 2010-9-15 09:52

很基本的东西，找找模电书吧，上面基本都有。上面的运放题目，学过电路分析都应该会做的。

只看该作者 · 2010-9-15 12:05

mark 留着晚上解答！

只看该作者 · 2010-9-15 19:47

LS,图片不能显示

只看该作者 · 2010-9-15 19:51

12# haibushuo
呃，您就是5楼的大哥吧，我不懂怎么像你那样贴图，你能帮帮我么？

只看该作者 · 2010-9-15 20:02

你点高级回复，然后出来的对话框，左下角有一个添加附件，上传上去
再在你想插入图片的地方，点“插入”
会出现【img】1【/img】这样的字样，就说明已经插入成功了

只看该作者 · 2010-9-15 20:11

a)已知经过这两个BJT的静态集电极电流IC1 = IC2 = 2.2mA，判断每个晶体管h参数gm 和rπ。

b) 画出放大器的小信号等效电路图，要求这个小信号等效图要适合分析低频交流电路【提示：可以设发射极电阻RE是bypass(即使在低频区)，并且rμ很大当作开路】

c) 画出放大器的小信号等效电路图，要求这个小信号等效图适合分析高频交流电路，同样rμ很大当作开路处理

对于 d) 和
e)两题,用h参数电容（hybrid-π
capacitances）Cπ = 2pF， Cμ = 1pF, 并且假设ro 无限大，rb = 0.

d) 计算低转角(3dB)频率
fL , 要求使用短路时间常数（short circuit time constant method）的方法，
需要C1和
C2的计算时间常数，但是可以假设短路时间常数相关的CB =4.5ms。【提示，使用主极点近似值（dominant pole approximation）】

e) 计算低转角(3dB)频率fH ，依然使用使用短路时间常数(open circuit time constant method) [提示: 使用
主极点近似值（dominant pole approximation）].