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判断三极管的饱和导通

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lengfeng13|  楼主 | 2010-9-15 16:36 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
yu_olimpic2008| | 2010-9-15 17:17 | 只看该作者
测一下结电压Uce的电压,小功率硅三极管在0.3-1v,大功率在1-3V之间就进入饱和了。上述公式只适合在线性放大区

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板凳
YH0624| | 2010-9-15 17:19 | 只看该作者
Ic>VCC/Rc饱和Vb<Vbe截至

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地板
0769cd| | 2010-9-15 17:21 | 只看该作者
有道理

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ghost1325| | 2010-9-15 23:39 | 只看该作者
Ic>VCC/Rc饱和Vb
YH0624 发表于 2010-9-15 17:19


Ic是不可能大于VCC/RC的,IC>VCC/RC可以作为计算基极限流电阻的公式 但最好说明白用意 以免误导

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tongshaoqiang| | 2010-9-16 08:53 | 只看该作者
Ic<Ib*β
可以从前往后算,也可以从后往前算。(看看是先确定RC还是先确定RB)
假设先确定RB,知道了Ib,取手册中管子的最小β值,得Ic=Ib*β,计算RC1=(VCC-VCE)/Ib*β,再取RC=2或者1.5(RC1)让管子进入深度饱和。

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7
tongshaoqiang| | 2010-9-16 08:54 | 只看该作者
可以到技术论坛,搜索关于光耦的帖子。有个帖子讲的很详细,关于光耦参数的设置。光耦的次级就是三极管,可以借鉴一下。

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8
hq_y| | 2010-9-16 09:12 | 只看该作者
Rc是负载,说明跟负载有关
换句话,负载电流越大,Ib也就需要越大;也就是说,Rb越小;
其实这个东东,自己动手做个实验,画个曲线就都明白了。

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fail| | 2010-9-16 10:04 | 只看该作者
不知楼主说的是晶体的放大应用还是作为开关管的应用。

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说梦痴人| | 2010-9-16 16:17 | 只看该作者
本帖最后由 说梦痴人 于 2010-9-17 09:45 编辑

BC处于正偏,be处于正偏,是饱和
bc反偏,be反偏,是截止
bc反偏,be正偏,放大

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weshiluwei6| | 2012-2-27 21:14 | 只看该作者
不知道可以不可以 6# tongshaoqiang

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12
NE5532| | 2012-2-27 21:38 | 只看该作者
楼主随便找个三极管的手册,看下Vce sat值的条件,琢磨下其中的奥秘呢。

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