还是mos开关电路的问题，R2电阻的如何取值

只看该作者 · 2010-9-16 09:36

对mos的开关电路还是存在疑问，欢迎大家拍砖交流。

上电路图中的R2的作用，和如何取值问题。
R2的取值我认为一是要保证mos导通时ID满足其额定值及mos的功耗，不知道这个电阻取值影响不影响跟输出波形的上升沿下降沿？或者这个电阻的取值到什么程度时mos就不工作在饱和区了？
大家谈谈R2的取值受那些条件限制。

只看该作者 · 2010-9-18 11:16

MARK

3万 · 2010-9-18 12:41

此负载电阻的大小与输出波形的上升沿关系很大，要上升沿陡此电阻就要小一些，当然MOS管导通时电流就要大一些。

只看该作者 · 2010-9-18 17:18

老大早点来，这分就不浪费了。呵呵
R2的取值还要兼顾到vcc电源的功率吧。

3万 · 2010-9-18 18:18

只能是电源设计为信号要求服务。

只看该作者 · 2010-9-27 17:03

本帖最后由 tongshaoqiang 于 2010-9-27 17:28 编辑

3# maychang

今天再来看看这个帖子。有个疑问，谈谈我的看法，同时也请教个新问题。

看过以前大家讨论关于三极管饱和深度的恢复时间帖子
https://bbs.21ic.com/icview-197165-1-1.html
mos工作在开关状态输出波形的上升下降时间仅仅跟栅源间的分布电容有关。如果让输出波形的上升下降时间小，让输入信号的输出阻抗变小。而具体实验（让R2由10k变成5k，输出波形的上升沿下降沿改善不是很明显）也说明R2的取值不是改善输出信号响应的根本，但多少也有改善。

1、请教老大，R2电阻的取值小，输出波形的上升沿就陡一些，是否这个“陡”意味着上升沿时间就小呢？

2、让R2减小，流过MOS的Id电流就变大，是否就是所谓的驱动能力变大呢？（我觉得是这样，让流过负载的电流增大，就是所谓的驱动能力增大。）

3、如何确保mos工作在截止跟可变电阻区？仅与控制输入电压vgs有关吗？

欢迎大家拍砖。

只看该作者 · 2010-9-27 17:27

本帖最后由 mmax 于 2010-9-27 17:29 编辑

个人感觉：

这个电阻只影响开关的上升沿和下降沿时间。

具体到这个电路，无论如何，MOS管是不会工作在放大状态的。
因为MOS是电压控。Vgs始终是12V，能保证可靠导通。

你说的2，是三极管的想法，三极管是电流控，呵呵

只看该作者 · 2010-9-27 17:35

我对驱动能力不是很明白。
比如说光耦的驱动能力很低，需要加一级驱动，这所谓的加一级驱动可能就是mos或者三极管。
是否所谓的驱动能力大就是允许流过的IO大？

只看该作者 · 2010-9-27 17:53

对三极管是这样的。
晶体管是电流驱动型，要给太提供足够的驱动电流，才能提高它的带载能力。
MOS管是电压控制型，只要给他提供足够的驱动电压，它就能工作。

要提高晶体管的带载能力，就要提高它的驱动电流。光耦的驱动能力低，是指光耦副边电流驱动能力小，所以要加一级驱动，增加三极管的Ib。

要提高MOS的带载能力，不需要过多电流，只要电压满足Vgs即可。当然一般情况下驱动MOS的电压都是够的，带载能力跟MOS管本身有关，跟驱动电压没关系。

只看该作者 · 2010-9-27 17:59

该电阻取值要考虑：
1、功耗：电源功耗，电阻功耗以及MOS管流限（虽然通常流限是够的）；
2、负载特性：容性或纯阻性；
3、负载轻重：特别是容性负载。。。影响更大。
输出波形的上升速度跟R2取值直接相关，但是要同时考虑到负载轻重问题，说白了就是阻抗匹配问题，下降速度跟MOS的通态电阻Rds还有负载特性相关。
R1大小、MOS管本身的栅源寄生电容大小以及传输速度影响整个信号延迟时间。