那篇**我读过

发表于 2008-5-16 17:49

向大家求助，帮推荐一个快速光耦，工作电压在15~20V之间，导电电阻越小越好的那种。我的经验少，谢谢大家啦。

发表于 2008-5-16 22:15

发表于 2008-5-17 10:57

速度大概在10M/S。（tr和tf越小越好，工作电压要高些，谢谢了）

发表于 2008-5-17 19:02

发表于 2008-5-17 21:05

那篇文章我读过，本打算用6n137，但是手册上给的输出电压是7V。这就让我犯愁了，我做D类功放，导通时尽量时间短，最好不加电阻，而且Vbe大概等于15V，所以先找个耐压高的替换它。

发表于 2008-5-17 22:47

光藕只能作为前级信号的隔离耦合

发表于 2008-5-18 06:14

我只是拿他做一个开关，并且实现隔离。在开关状态下需要他的Vce最大值要大12V。您能帮我推荐一个么，我对器件是在了解的太少了。真的很感谢~~~<br />

发表于 2008-5-18 15:33

高速光藕都是复合型IC，输出侧不是简单的光电管而是IC，工作电压通常不高，如6N137是5V，7V则是极限电压，这时用6N137驱动一个中间晶体管即可与高压系统接口。

发表于 2008-5-18 20:34

研究研究

发表于 2008-5-19 11:18

您好。中间晶体管是不是指的的加一个晶体管让他工作在开关状态，或是用一级共射呢。如果这样应该会引入电阻，那么就会降低速度了啊。不知道我说的对不对

发表于 2008-5-19 17:14

因为我做的是功率电路，增加电阻势必会调高功耗，所以还是想要一个耐压高点的管子。没有么，始终感觉晶体管的集电极和射级耐十几伏应该没问题似的

发表于 2008-5-19 21:30

不会增加多少额外功耗，高频开关管即可，这点电压确实不算高，但对高速光藕输出侧的整形IC而言就太高了，整形电路部分是按5V设计的。

发表于 2008-5-19 23:24

发表于 2008-5-20 10:42

实验后回来向大家报告

关键是要多快？