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MOS管能这样用吗?请各位模拟高手进来看看

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沙发
ShakaLeo| | 2010-9-19 08:22 | 只看该作者
就相当于4个PMOS并联,用一个电平控制这四个PMOS,没问题。

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板凳
hpzax| | 2010-9-19 08:54 | 只看该作者
可以,没问题

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地板
lone_wolf| | 2010-9-19 09:22 | 只看该作者
但为什么要这么用呢?

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ShakaLeo| | 2010-9-19 09:27 | 只看该作者
一个PMOS所能提供的最大的漏源电流Ids是一定的,4个并联就提高了输出电流的能力。

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lone_wolf| | 2010-9-19 11:32 | 只看该作者
5# ShakaLeo
那不可以用一个能流更大电流的MOS。

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7
zjp8683463| | 2010-9-19 12:31 | 只看该作者
用一个更大电流的mos发热厉害。

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小嘿| | 2010-9-19 12:52 | 只看该作者
d极或S极串接个均流电阻吧

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lovedata|  楼主 | 2010-9-19 12:57 | 只看该作者
谢谢各位的回复,我用3.3v的单片机可以驱动他们全导通吗?高电平导通还是低电平导通?

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xuyiyi| | 2010-9-19 14:45 | 只看该作者
3.3v的电压无法驱动MOS管导通!

一般的MOS管需10V以上开始导通,正常驱动MOS管的电压在12-18V左右。

有些新型新工艺的MOS管,在4V以上开始导通,不过这种MOS管价格较贵。

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11
lovedata|  楼主 | 2010-9-19 15:24 | 只看该作者
那请问,我应该怎样设计才能让其实现单片机控制呢?图中VB是12v,先谢了

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lndhy1314| | 2010-9-19 16:48 | 只看该作者
你可以驱动三极管哦 将三极管的集电极 连接到能够开启mos管的电压上去  


不知道我说的对不

菜鸟~路过

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batsong| | 2010-9-19 19:02 | 只看该作者
用一个9013三极管,间接控制就可以了

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xwj| | 2010-9-19 19:21 | 只看该作者
有的可以导通,有的会不行

IRF4905的Vgs典型值是-2V~-4V,也就是说会“有的可以导通,有的会不行”。
而即使可以导通的,也会导通电阻比较大,到时候大电流时很容易烧毁。因为DataSheet上的导通电阻Ron是以-10V驱动时为准的,所以最好还是加上足够的电压来驱动它。

12、12楼的方法是对的,不过要注意这时是高电平开启哦~

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mmax| | 2010-9-19 22:04 | 只看该作者
8# 小嘿

MOS管Ron是正温度系数,并联不用均流电阻。

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mmax| | 2010-9-19 22:09 | 只看该作者
3.3V是不行的。可能能工作,但不满足Vgs的max阈值。
芯片资料只能看max参数,所以作为产品,3.3V是不能用的。

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mcuisp| | 2010-9-20 07:55 | 只看该作者
3.3V通常是可以驱动低压MOS管,一般称为负载MOSFET。
功率mos管要10V以上。

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