双极型晶体管和MOS管

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 楼主| lp1468 发表于 2010-9-25 22:33 | 显示全部楼层 |阅读模式
今天!很郁闷,在和一下老的工程师说mos管和双极型三级管作为开关管用的时候。他们一直认为mos管的功耗小,双极型三极管的功耗大。
    在双极型三极管的Datasheet中没有Rce电阻,就是在饱和区(开关状态的时候)的时候,怎么确定功耗呢?
    mos管的Rds(on)一般是几十豪欧,只要能确定双极型三极管的Rce(on)小于他的话就可以说明功耗小了。
    1双极型晶体管在开状态的时候Rce是多少,为什么Datasheet里面没有写,我们该怎么计算。他的功耗在开关状态怎么计算。
    2.到底作为开关管(对开关频率没有要求)试用时,mos管和双极型晶体管那个功耗大。
宋业科 发表于 2010-9-25 23:00 | 显示全部楼层
双极三极管有VCE,饱和压降乘以饱和电流就可以。
chunyang 发表于 2010-9-25 23:05 | 显示全部楼层
三极管的导通电阻是变量,跟外电路参数也有关,当然不会这么标了。
 楼主| lp1468 发表于 2010-9-25 23:12 | 显示全部楼层
主要是工作在饱和区,没有Rce我很难计算出VCE的,也无法确定精确度IC.
三极管的导通电阻是变化的,那我们就无法确定,怎么计算功耗呢? 那就无法确定谁的功耗大了,用同样的电路设计的话,那个功耗大呢,就是很简单的开关管的作用。
maychang 发表于 2010-9-25 23:13 | 显示全部楼层
NJT和MOS作为开关管使用,哪个功耗大,随时代变化。
MOS管在出现了VMOS之后才可以工作于功率开关,早期的VMOS管导通电阻相当大,所以相同条件下BJT功耗小一些。但近年来MOS管发展非常快,导通电阻越做越小,速度越做越快,其它一些参数如门极电荷也有很大改进,价格也越来越低。所以现在几乎没有人用BJT做开关电源,BJT仅在很低频率工作状态下还有应用。
chunyang 发表于 2010-9-25 23:17 | 显示全部楼层
Vce可以认为是常数,约0.2-0.7V,而Vds可以做到0.1V以下,相同电流下,哪个功耗大?这不必计算,是常识。
maychang 发表于 2010-9-25 23:23 | 显示全部楼层
4楼:
功率BJT在一定电流下的管压降,一般只能从管子的曲线上求得。
尤其是高反压大功率管,其管压降往往相当大,而且与基极电流关系很大,这类管子大电流时电流放大倍数比小电流时下降很多。
心静自然凉 发表于 2010-9-25 23:24 | 显示全部楼层
晶体管和MOS管的功耗,主要是因为他们的制造工艺和材料以及工作时管子的动作特点决定的,一般来说,MOS管功耗相对来说比较低。
对于晶体管的功耗计算,估算是可以的,不过还得知道负载的电阻
ghost1325 发表于 2010-9-25 23:24 | 显示全部楼层
一般都用场管了吧,场管电流密度大,有正的温度特征不易过热,驱动容易,导通电阻也做的越来越小

三极管貌似要么用在低端小功率,要么用在高压还有点优势
McuPlayer 发表于 2010-9-25 23:32 | 显示全部楼层
建议楼主下载一个三极管和一个MOS管的Datasheet文件,比如8550和2301
然后把Rds和Vce参数,以及相关的图表,仔细瞅瞅
再然后,再看看买账大叔和chunyang的描述,就容易理解了
maychang 发表于 2010-9-26 00:14 | 显示全部楼层
有时资料不足,某些参数需要自己测试才能够知道。
 楼主| lp1468 发表于 2010-9-26 00:14 | 显示全部楼层
bjt的datasheet是有一个Vce的,但是他没有说这个值是工作在什么状态的,只是标出了工作在ib和ic状态下测量的。
maychang 发表于 2010-9-26 00:39 | 显示全部楼层
12楼:
这种事情不大可能,一定会给出测试条件的。
估计是你没有看清楚。
我在11楼说的“需要自己测试”,有一种情况就是datasheet给出了某电流下管子的饱和压降,但实际使用的电流与datasheet上给出的测试条件差别很大,那么管子的饱和压降在实际使用条件下是多少?往往需要实际测试。
把你的datasheet相关部分贴出来看看,是否“没有说这个值是工作在什么状态的”。
 楼主| lp1468 发表于 2010-9-26 00:42 | 显示全部楼层

一般的都是这样写的。

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xwj 发表于 2010-9-26 01:08 | 显示全部楼层
由于BJT在大电流放大时放大倍数很低,当BJT用于大电流电流放大时,除了集电极功耗,基极功耗也是不可忽视的!
比如LS的表格,算算基极功耗和集电极功耗的比值吧
maychang 发表于 2010-9-26 01:20 | 显示全部楼层
14楼:
这不是给出了测试条件了么?集电极电流500mA,基极电流50mA。
其上一行,给出了另一个测试的条件:管压降1V,集电极电流500mA,电流放大倍数最小40。
你的设计,可能集电极电流不是500mA,不过管压降可以从上列两行估计一下。

xwj说得对,大电流情况下,基极电流功耗不可忽略。
fzu_csc 发表于 2010-9-26 08:34 | 显示全部楼层
除了基极电流的功耗,MOS管的输入阻抗高,这又是个优势
又因为电压驱动的原因,MOS开关速度比BJT快。

电平翻转的功耗比较怎样?
jack_shine 发表于 2010-9-26 10:32 | 显示全部楼层
3# chunyang
学习中~~~
jack_shine 发表于 2010-9-26 10:35 | 显示全部楼层
6# chunyang
Vce再大一点就处在放大状态了吗
jack_shine 发表于 2010-9-26 10:38 | 显示全部楼层
10# McuPlayer
顶一个~~~
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