关于光耦的耗散功率PC跟输出功率po

只看该作者 · 2010-9-27 14:43

各位前辈，最近整理自己做过的东西的资料时，有个问题没有弄通，就是光耦也可以说是三极管的耗散功率PC跟输出功率po的关系。
请大家看看下面的图。

该图说明光耦次级三极管的pc是100mw。（在25度时）

1、最下面的图中，输出电压跟输出电流的关系图。图中的虚线是指三极管的耗散功率pc吗？
2、光耦的vcc最大是35v，从上图看到当输出电压vo达到20v时，输出电流最大能到图中的A点，IO大概能到4.5ma。vo跟Io的乘积就是输出功率po吧？怎么数值跟pc差不多？是巧合吗？
3、pc跟po是什么关系？怎么在光耦的手册中看不到po这个参数？

再次感谢大家的回复解惑。

只看该作者 · 2010-9-27 16:36

本帖最后由 mmax 于 2010-9-27 16:38 编辑

1）应该是，大概算算 20V*4.5mA = 90mW，跟光耦封装的耗散功率差不多。

  Po是实际功耗，而Pc是功耗的上限。
  “是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率”
  相当于芯片资料里面  Absolute Maximum Ratings 相，刚才看了几个光耦的资料，Pc是定值。TL180是150mW

下面这个图上，Pc应该也是一个定值。

2）Uo/Io曲线图中总会画出一个条Uo*Io=PCM曲线（图中的虚线），不是巧合。

3）Po是实际功耗，而Pc是功耗的上限。

呵呵，个人的理解。

只看该作者 · 2010-9-27 16:49

回2楼：
我觉得你的理解很有道理。
大家再看看，没疑问就结贴给分啦。

1万 · 2010-9-27 21:13

这两个图的测试条件是不一样的
前者表示　不同温度下的能力
后者表示　固定（指定）温度下的能力

只看该作者 · 2012-4-20 18:39

1）就是，图片是降额曲线；算算 20V*4.5mA = 90mW，跟光耦封装的耗散功率差不多。
Po是实际功耗，而Pc是功耗的上限。相当于芯片资料里面 Absolute Maximum Ratings 相，刚才看了几个光耦的资料，Pc是定值。TL180是150mW
下面这个图上，Pc应该也是一个定值。

2）Uo/Io曲线图中总会画出一个条Uo*Io=PCM曲线（图中的虚线），不是巧合。

3）Po是实际功耗，而Pc是功耗的上限。

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