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STM32L写内部EEPROM时CPU会暂停运行吗?

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楼主
zzz正|  楼主 | 2010-9-28 15:45 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
如题.谢谢.
沙发
香水城| | 2010-10-1 11:17 | 只看该作者
会。

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清风过山岗| | 2010-10-1 12:29 | 只看该作者
我说说我了解的LPC2100系列的相关操作;
在写/擦FALSH的时候点用了FALSH的总线,所有的FLASH只有一根总线和系统相联,所以如果同时再进行FLASH操作将产生冲突;这个冲突包括读FLASH的程序区并执行FLASH区域的程序;
解决办法:
把相关的程序放在SRAM区域执行,这样FLASH擦写的时候就不会影响SRAM中的程序执行(操作完成前,不能读FLASH区域);这种处理方式现在是唯一的;否则只能关断中断并等待(相当于停机);
在下一代的LPC1800中,每个FLASH区域都有独立的总线,这样情况就大大好处,只要不是同时操作同一个扇区的FLASH,应该是允许的,至少,程序不会因此而停机;
(END)

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地板
zzz正|  楼主 | 2010-10-14 13:59 | 只看该作者
那请问这是否意味着:当进行比较多的EEPROM读写过程中,CPU有可能丢失中断(如串口中断)或者中断数据.

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zzz正|  楼主 | 2010-10-14 14:14 | 只看该作者
从芯片设计角度看,除非类似DMA等不需要CPU时钟或者指令总线的模块,应该都会暂停.在评估STM32L芯片的实际功耗以及使用内部EEPROM时,曾多次问过ST的计服,都到的答案都是不影响.希望版主能给出一个权威的答案,我们好评估.(虽然内部EEPROM省电和省钱,而且软件已经作了比较好错误处理)

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香水城| | 2010-10-14 21:18 | 只看该作者
看样子5楼不认同我在2楼给的答案?

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mcuisp| | 2010-10-14 21:22 | 只看该作者
香主,在SRAM里跑代码,也会暂停吗?

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香水城| | 2010-10-14 21:33 | 只看该作者
香主,在SRAM里跑代码,也会暂停吗?
mcuisp 发表于 2010-10-14 21:22


在SRAM里跑代码时,CPU不会暂停。

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zzz正|  楼主 | 2010-10-15 13:36 | 只看该作者
谢谢各位.

从系统框图以及经验来看(AVR等有内部EEPROM的MCU都有说明,写内部EEPROM时CPU会暂停), 我从开始评估起就认同版主并不少两次问过ST的技术支持此话题.遗憾的是,ST的技术支持都说CPU不会暂停.

请问香主:如果CPU暂停的话,对于系统影响方面有什么好的见解或建议吗?

PS:"在SRAM里跑代码时,CPU不会暂停。"  一般情况下代码都不会在SRAM中运行,在SRAM中运行的唯一好处就是速度比FLASH更快(SRAM访问时间比FLASH少).

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香水城| | 2010-10-15 15:04 | 只看该作者
请具体点说明这句话中要问什么:请问香主:如果CPU暂停的话,对于系统影响方面有什么好的见解或建议吗?  你这个问题太大。

另:对于STM32来说,代码在SRAM中运行通常会比在FLASH中慢,而不是快!

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zzz正|  楼主 | 2010-10-18 13:47 | 只看该作者
是否会影响中断响应(包括最大中断响应时间)或者通讯丢包(通过中断方式,非DMA方式),等等.

另谢谢香主指正. "通常会比在FLASH中慢"是什么意思?
是否可以这样理解,和FLASH的接口模块有预读取指令的功能.这样通常在FLASH执行比SRAM执行会快

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IJK| | 2010-10-18 17:57 | 只看该作者
“是否可以这样理解,和FLASH的接口模块有预读取指令的功能.这样通常在FLASH执行比SRAM执行会快”

不是这个原因,原因是对于STM32,FLASH是挂在CortexM3的I-Code总线,而SRAM挂在CortexM3的System总线(和D-Code总线)。CortexM3取指令可以从I-Code总线,也可以从System总线,但CortexM3内核还通过System总线进行其它操作。

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zzz正|  楼主 | 2010-10-20 13:09 | 只看该作者
谢谢IJK,发完后我也想到了这点.这有点类似于哈佛和冯·诺依曼.

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zoulinqi110| | 2017-12-5 15:24 | 只看该作者
那会影响pwm的输出吗?试验下来是会影响的,不知道有什么方法解决?

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