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MOS管 ，当VDS=VGS时。 处于什么工作状态

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楼主
715811007|  楼主 | 2010-9-29 23:16 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS, MOS管, os
MOS管 ，当VDS=VGS时。 处于 什么工作状态？

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沙发
zjp8683463| | 2010-9-29 23:18 | 只看该作者
一般是在线性区

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板凳
心静自然凉| | 2010-9-30 00:30 | 只看该作者
可变电阻区，恒流区，截止区都有可能，因为你没限定Ugs的大小
mos管工作状态主要由Ugs决定

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地板
bbyeah| | 2010-9-30 05:01 | 只看该作者
楼主是想问mos-diode连接么？
亚阈值和饱和区saturation，线性区triode是不会的

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5楼
HWM| | 2010-9-30 08:36 | 只看该作者
MOSFET工作区域（或状态）的一般判定（N型）：

当 Vgs < Vt 时，处在截止区域。
当 Vgs > Vt 且 Vds < Vgs - Vt 时，处在变阻区域。
当 Vgs > Vt 且 Vds > Vgs - Vt 时，处在饱和区域。

其中 Vt 是 MOSFET 的一个器件参数——开启电压。

P型，极性反一下即可。

MOSFET 的截止区类比 BJT 的同名区——截止区，其意相同。
当MOSFET 处在变阻区内时，其沟道是“畅通”的，相当于一个导体。在 Vds 较小时近似满足V-I的线性关系，即有一个近似固定的阻值。此阻值受 Vgs 控制，故称变阻区域。
MOSFET 的饱和区域类比 BJT 的线性区，其意和 BJT 的同名区（饱和区）大相径庭。称 MOSFET 此区为饱和区，意在表示随着 Vds 的增加 Id 几乎不再增加——即电流饱和。其实在此相关区域内，MOSFET 和 BJT 都处于受控恒流状态，将其理解为恒流区更妥。

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heiselpy + 1 赞一个!
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zxfasx + 1 我很赞同
6楼
songzhige| | 2010-9-30 10:54 | 只看该作者
都是高手，，:lol

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7楼
gaohq| | 2010-9-30 11:30 | 只看该作者
以前我也一直把MOS 和BJT看成差不多的器件，差别仅在于驱动不同，感谢教授又给俺上了一课。

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8楼
huaqiao| | 2010-9-30 20:10 | 只看该作者
条件太简单了，不能确定其状态

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9楼
Siderlee| | 2010-10-1 20:18 | 只看该作者
:)

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10楼
donghcc| | 2010-10-1 23:40 | 只看该作者
学习了

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11楼
firewolf火狼| | 2012-7-4 22:58 | 只看该作者
HMW真给力啊

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12楼
shell.albert| | 2012-7-5 06:35 | 只看该作者
MOSFET工作区域（或状态）的一般判定（N型）：

当 Vgs < Vt 时，处在截止区域。
当 Vgs > Vt 且 Vds < Vgs - Vt 时，处在变阻区域。
当 Vgs > Vt 且 Vds > Vgs - Vt 时，处在饱和区域。


精辟！

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13楼
不亦心| | 2012-7-5 08:59 | 只看该作者
是本模电书上都有

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14楼
coody| | 2012-7-5 17:06 | 只看该作者
不能确定，比如VDS=VGS=0.1V 和 VDS=VGS=10V

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15楼
xukun977| | 2012-7-5 18:53 | 只看该作者
不能确定，比如VDS=VGS=0.1V 和 VDS=VGS=10V
coody 发表于 2012-7-5 17:06


4楼说的全。
＂截止区＂一说不妥当，可能在30年前没什么，现在是及其重要的一工作区，电源电压降到0.5V，阈值电压0.7V左右，按此说法，管子都截止了，于是电路不工作了？明显不对。

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16楼
ghxy00| | 2012-12-13 11:29 | 只看该作者
xukun977 发表于 2012-7-5 18:53
4楼说的全。
＂截止区＂一说不妥当，可能在30年前没什么，现在是及其重要的一工作区，电源电压降到0.5V， ...


那请教，在此条件下，工作在什么状态？

还有一个问题：
在下面的电路中，NMOS的工作在放大区域。如果输入信号很小的话，NMOS会不会开启？

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17楼
HORSE7812| | 2012-12-17 15:21 | 只看该作者
mark

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18楼
鸟鸟| | 2012-12-18 00:37 | 只看该作者

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19楼
heiselpy| | 2013-4-19 19:16 | 只看该作者
HWM 发表于 2010-9-30 08:36
MOSFET工作区域（或状态）的一般判定（N型）：

当 Vgs < Vt 时，处在截止区域。

MOSFET 的饱和区域类比 BJT 的线性区
这句话似乎有问题？应该是MOSFET 的饱和区域类比 BJT 的放大区？

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20楼
heiselpy| | 2013-4-19 20:29 | 只看该作者
HWM 发表于 2010-9-30 08:36
MOSFET工作区域（或状态）的一般判定（N型）：

当 Vgs < Vt 时，处在截止区域。

MOS的饱和区可以理解为电流饱和，那BJT的饱和区怎么理解？

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