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MOS管 ,当VDS=VGS时。 处于什么工作状态

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楼主
沙发
zjp8683463| | 2010-9-29 23:18 | 只看该作者
一般是在线性区

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板凳
心静自然凉| | 2010-9-30 00:30 | 只看该作者
可变电阻区,恒流区,截止区都有可能,因为你没限定Ugs的大小
mos管工作状态主要由Ugs决定

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地板
bbyeah| | 2010-9-30 05:01 | 只看该作者
楼主是想问mos-diode连接么?
亚阈值和饱和区saturation,线性区triode是不会的

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5
HWM| | 2010-9-30 08:36 | 只看该作者
MOSFET工作区域(或状态)的一般判定(N型):

当 Vgs < Vt 时,处在截止区域。
当 Vgs > Vt 且 Vds < Vgs - Vt 时,处在变阻区域。
当 Vgs > Vt 且 Vds > Vgs - Vt 时,处在饱和区域。

其中 Vt 是 MOSFET 的一个器件参数——开启电压。

P型,极性反一下即可。

MOSFET 的截止区类比 BJT 的同名区——截止区,其意相同。
当MOSFET 处在变阻区内时,其沟道是“畅通”的,相当于一个导体。在 Vds 较小时近似满足V-I的线性关系,即有一个近似固定的阻值。此阻值受 Vgs 控制,故称变阻区域。
MOSFET 的饱和区域类比 BJT 的线性区,其意和 BJT 的同名区(饱和区)大相径庭。称 MOSFET 此区为饱和区,意在表示随着 Vds 的增加 Id 几乎不再增加——即电流饱和。其实在此相关区域内,MOSFET 和 BJT 都处于受控恒流状态,将其理解为恒流区更妥。

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songzhige| | 2010-9-30 10:54 | 只看该作者
都是高手,,:lol

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gaohq| | 2010-9-30 11:30 | 只看该作者
以前我也一直把MOS 和BJT看成差不多的器件,差别仅在于驱动不同,感谢教授又给俺上了一课。

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8
huaqiao| | 2010-9-30 20:10 | 只看该作者
条件太简单了,不能确定其状态

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9
Siderlee| | 2010-10-1 20:18 | 只看该作者
:)

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10
donghcc| | 2010-10-1 23:40 | 只看该作者
学习了

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firewolf火狼| | 2012-7-4 22:58 | 只看该作者
HMW真给力啊

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shell.albert| | 2012-7-5 06:35 | 只看该作者
MOSFET工作区域(或状态)的一般判定(N型):

当 Vgs < Vt 时,处在截止区域。
当 Vgs > Vt 且 Vds < Vgs - Vt 时,处在变阻区域。
当 Vgs > Vt 且 Vds > Vgs - Vt 时,处在饱和区域。


精辟!

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13
不亦心| | 2012-7-5 08:59 | 只看该作者
是本模电书上都有

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coody| | 2012-7-5 17:06 | 只看该作者
不能确定,比如VDS=VGS=0.1V 和 VDS=VGS=10V

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15
xukun977| | 2012-7-5 18:53 | 只看该作者
不能确定,比如VDS=VGS=0.1V 和 VDS=VGS=10V
coody 发表于 2012-7-5 17:06


4楼说的全。
"截止区"一说不妥当,可能在30年前没什么,现在是及其重要的一工作区,电源电压降到0.5V,阈值电压0.7V左右,按此说法,管子都截止了,于是电路不工作了?明显不对。

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ghxy00| | 2012-12-13 11:29 | 只看该作者
xukun977 发表于 2012-7-5 18:53
4楼说的全。
"截止区"一说不妥当,可能在30年前没什么,现在是及其重要的一工作区,电源电压降到0.5V, ...


那请教,在此条件下,工作在什么状态?

还有一个问题:
在下面的电路中,NMOS的工作在放大区域。如果输入信号很小的话,NMOS会不会开启?

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HORSE7812| | 2012-12-17 15:21 | 只看该作者
mark

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鸟鸟| | 2012-12-18 00:37 | 只看该作者

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heiselpy| | 2013-4-19 19:16 | 只看该作者
HWM 发表于 2010-9-30 08:36
MOSFET工作区域(或状态)的一般判定(N型):

当 Vgs < Vt 时,处在截止区域。

MOSFET 的饱和区域类比 BJT 的线性区
这句话似乎有问题?应该是MOSFET 的饱和区域类比 BJT 的放大区?

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20
heiselpy| | 2013-4-19 20:29 | 只看该作者
HWM 发表于 2010-9-30 08:36
MOSFET工作区域(或状态)的一般判定(N型):

当 Vgs < Vt 时,处在截止区域。

MOS的饱和区可以理解为电流饱和,那BJT的饱和区怎么理解?

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