MOSFET工作区域（或状态）的一般判定（N型）：
当 Vgs < Vt 时，处在截止区域。
当 Vgs > Vt 且 Vds < Vgs - Vt 时，处在变阻区域。
当 Vgs > Vt 且 Vds > Vgs - Vt 时，处在饱和区域。
其中 Vt 是 MOSFET 的一个器件参数——开启电压。
P型，极性反一下即可。
MOSFET 的截止区类比 BJT 的同名区——截止区，其意相同。
当MOSFET 处在变阻区内时，其沟道是“畅通”的，相当于一个导体。在 Vds 较小时近似满足V-I的线性关系，即有一个近似固定的阻值。此阻值受 Vgs 控制，故称变阻区域。
MOSFET 的饱和区域类比 BJT 的线性区，其意和 BJT 的同名区（饱和区）大相径庭。称 MOSFET 此区为饱和区，意在表示随着 Vds 的增加 Id 几乎不再增加——即电流饱和。其实在此相关区域内，MOSFET 和 BJT 都处于受控恒流状态，将其理解为恒流区更妥。
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