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MOS管 ，当VDS=VGS时。 处于什么工作状态

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楼主: 715811007
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21楼
HWM| | 2013-4-21 21:27 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
heiselpy 发表于 2013-4-19 19:16
MOSFET 的饱和区域类比 BJT 的线性区
这句话似乎有问题？应该是MOSFET 的饱和区域类比 BJT 的放大区？ ...

“类比BJT的放大区”也可。

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22楼
HWM| | 2013-4-21 21:35 | 只看该作者
heiselpy 发表于 2013-4-19 20:29
MOS的饱和区可以理解为电流饱和，那BJT的饱和区怎么理解？

BJT的饱和一般理解为两PN结正偏，也可理解为Uec过低致使偏离电流源输出（或e~c类似“短路”导通）。

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