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求教三级管逻辑或的问题

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本帖最后由 chuwenjin 于 2010-9-30 09:24 编辑

最近做一个项目,里面有个通信协议,类似与3线spi通信,但在MOSI输出的时候需要用到一个I/O和MOSI脚作逻辑关系输出,用最普通的或门已经实现,现在开始整理图纸,规划线路,为了节省成本,这里的逻辑或我想用2个三极管实现,图如下,用示波器单测试这部分时候,逻辑关系是对的,但是实际用到电路里面发现通信就不正常了,困惑中,求解。

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沙发
chunyang| | 2010-9-30 10:56 | 只看该作者
估计是驱动能力问题,后级是什么?前级电平又如何?
最简单的或逻辑用二极管即可实现“线或”。

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板凳
chuwenjin|  楼主 | 2010-9-30 14:44 | 只看该作者
2# chunyang
前级A,B分别直接接到c8051F330的P0.2和P0.6口,C接小功率mos管APM2300的G级,驱动mos管输出信号到主设备的通信口,和主设备直接的连线很短,不超过20CM,
二极管逻辑或貌似不怎么稳定,不知道什么原因,我用一个10K电阻和2个4148搭的逻辑或,用到电路里面,有时能通信上,有时通信失败,这在用集成或门的情况下从来没出现过,而我是在实验电路上做的,唯一改动的地方就是这个逻辑或的位置

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地板
chunyang| | 2010-9-30 14:54 | 只看该作者
是驱动能力的问题,晶体管导通程度不足导致高电平不够高,用二极管搭也存在结压降,前级驱动也仍然不足,改进方法是加大下拉电阻的阻值,如果你用的MCU支持推挽强输出,可将端口配置成该模式,驱动会大大增强,但最好还是换用门电路。

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chuwenjin|  楼主 | 2010-9-30 21:14 | 只看该作者
4# chunyang
非常感谢你的分析,我把下拉电阻加到1.5K。现象依旧,对这个现象有点困惑,图纸规划得差不多了,最终还是用回到集成门电路,至少满足了可靠性这个大前题。

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chunyang| | 2010-10-1 03:29 | 只看该作者
1.5K是降低不是增加。

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