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MOS这样驱动可以吗?

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楼主
沙发
maychang| | 2010-10-12 16:02 | 只看该作者
这样做,MOS管非击穿不可。
可以将R1分成两个电阻串联,例如两个10k电阻,那么就可以使Q2饱和时Q1的门极源极之间电压为20V。实际上,可以用15k和5k串联,Q1门极源极之间只要10V大概就够了。当然,最好是Q1门极源极并联一支稳压管,更保险一些。
不过,这样的电路速度不够快,只能用于开关频率较低情况。

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板凳
airwill| | 2010-10-12 20:15 | 只看该作者
1# 兰天白云

在Q2截止时,Q1的1脚会达40V 这倒不可怕. 这时候 Q1 正常截止.
反而在Q2导通时,Q1的1脚会0V, 这时候 Vgs 出现了 -40V, 会导致 GS 击穿!

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地板
兰天白云|  楼主 | 2010-10-13 09:07 | 只看该作者
频率不高,1000HZ左右
分压电阻方式




稳压管这样这样放?

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5
zjp8683463| | 2010-10-13 09:17 | 只看该作者
1K用电阻分压就行了,稳压管很慢的。

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6
触觉的爱| | 2010-10-13 11:28 | 只看该作者
好像是稳压管并电阻的多吧

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maychang| | 2010-10-13 12:10 | 只看该作者
4楼:
前一图的R1两端并联一支12~15V的稳压管。

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8
ushen| | 2010-10-13 20:20 | 只看该作者
本帖最后由 ushen 于 2010-10-13 20:22 编辑

稳压管并联使用 与npn三极管端组成钳位电路,另外还得考虑功率,限流电阻大小等

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9
求知的电工| | 2010-10-13 22:15 | 只看该作者
看似正常,击穿MOSFET管的电压过高时会的。学习

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mxh0506| | 2010-10-13 22:34 | 只看该作者
如果只有1000Hz,电阻值可以再加大。

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11
yuanchsh| | 2010-10-13 23:27 | 只看该作者
;P  不可思议!

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songzhige| | 2010-10-14 08:54 | 只看该作者
MOS管,这样驱动,我保留意见

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tom_xu| | 2010-10-20 13:19 | 只看该作者
这是P-MOS很常见的驱动方式,主要是分压要恰当,没问题的。

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