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MOS这样驱动可以吗？

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楼主
兰天白云|  楼主 | 2010-10-12 15:12 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS, 电路, AC, MOS管, 驱动电路
P沟道MOS管驱动电路
数据手册上VGS=+-20V
电路这样设计可以吗？在Q2截止时，Q1的1脚会达40V

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沙发
maychang| | 2010-10-12 16:02 | 只看该作者
这样做，MOS管非击穿不可。
可以将R1分成两个电阻串联，例如两个10k电阻，那么就可以使Q2饱和时Q1的门极源极之间电压为20V。实际上，可以用15k和5k串联，Q1门极源极之间只要10V大概就够了。当然，最好是Q1门极源极并联一支稳压管，更保险一些。
不过，这样的电路速度不够快，只能用于开关频率较低情况。

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板凳
airwill| | 2010-10-12 20:15 | 只看该作者
1# 兰天白云

在Q2截止时，Q1的1脚会达40V 这倒不可怕. 这时候 Q1 正常截止.
反而在Q2导通时，Q1的1脚会0V, 这时候 Vgs 出现了 -40V, 会导致 GS 击穿!

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地板
兰天白云|  楼主 | 2010-10-13 09:07 | 只看该作者
频率不高，1000HZ左右
分压电阻方式




稳压管这样这样放？

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5楼
zjp8683463| | 2010-10-13 09:17 | 只看该作者
1K用电阻分压就行了，稳压管很慢的。

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6楼
触觉的爱| | 2010-10-13 11:28 | 只看该作者
好像是稳压管并电阻的多吧

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7楼
maychang| | 2010-10-13 12:10 | 只看该作者
4楼：
前一图的R1两端并联一支12～15V的稳压管。

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8楼
ushen| | 2010-10-13 20:20 | 只看该作者
本帖最后由 ushen 于 2010-10-13 20:22 编辑

稳压管并联使用 与npn三极管端组成钳位电路，另外还得考虑功率，限流电阻大小等

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9楼
求知的电工| | 2010-10-13 22:15 | 只看该作者
看似正常，击穿MOSFET管的电压过高时会的。学习

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10楼
mxh0506| | 2010-10-13 22:34 | 只看该作者
如果只有1000Hz，电阻值可以再加大。

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11楼
yuanchsh| | 2010-10-13 23:27 | 只看该作者
;P  不可思议！

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12楼
songzhige| | 2010-10-14 08:54 | 只看该作者
MOS管，这样驱动，我保留意见

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13楼
tom_xu| | 2010-10-20 13:19 | 只看该作者
这是P-MOS很常见的驱动方式，主要是分压要恰当，没问题的。

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