STM8S207的EEPROM写入后加锁，抗干扰性能明显下降？？？

只看该作者 · 2010-10-21 10:14

我在用STM8S207CB设计一个无线模块，模块的参数都是保存在EEPROM中的。测试中发现在带电拔插模块时，参数有时会改变，经过多次测试，发现规律如下：如果修改了参数后没有按过复位键（直接接到复位引脚），带电拔插时，参数一定会变；如果按过复位键，或是没有修改过参数，则拔插不会修改参数。
参数修改代码如下：
  #define DataLock() FLASH_Lock(FLASH_MEMTYPE_DATA) //Lock the eeprom
  #define DataUnLock() FLASH_Unlock(FLASH_MEMTYPE_DATA) //Unlock the eeprom

  DataUnLock();
  myShortAddress_eep.Val = myShortAddress.Val;
  currentChannel_eep = currentChannel;
  DataLock();
我初期怀疑是EEProm加锁不成功的原因。后来在加锁之后尝试修改eeprom的参数，发现修改不了，说明加锁发生了作用。
尝试使用软件复位代替复位键，发现带电拔插仍然会改变参数。
尝试直接给模块断电，再通电，而不是带电拔插，则参数不会改变。
我现在怀疑EEPROM被写入后，虽然是被加锁，但抗噪性能明显下降，只有硬件复位才能恢复其高抗噪性能。
请高手给分析一下，是什么原因造成EEPRom这么容易受干扰？