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可控硅上电故障

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楼主
h0w1h2|  楼主 | 2010-10-21 15:50 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
maychang| | 2010-10-22 00:11 | 只看该作者
晶闸管有个参数叫电压上升率,我认为应该称为最大电压上升率。
施加在普通晶闸管两端的正向电压上升过快,上升速度超过了允许的电压上升率,虽没有触发信号,晶闸管也将导通。
合闸上电的电压上升率非常高(类似电路分析里面的阶跃信号),若晶闸管不能承受这么高的电压上升率,则两相之间串联的两支晶闸管将导通造成电源短路,从而烧毁晶闸管。

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板凳
h0w1h2|  楼主 | 2010-10-22 10:31 | 只看该作者
我分析也是dv/dt造成的误导通,可我在可控硅两端加了RC电路,且RC的参数也调整了,还是无法限制dv/dt,什麽原因啊

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地板
maychang| | 2010-10-22 14:10 | 只看该作者
晶闸管两端的RC根本不能限制dV/dt,因为三相交流电源的内阻很小(一般小于1欧)。

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zhufdf| | 2010-10-22 15:11 | 只看该作者
楼主好富有哦,这么光耦加晶闸管,为什么不用四个双向的可控硅,光耦用带过零检测的,不就完事了。

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zhufdf| | 2010-10-22 15:14 | 只看该作者
RC是浪涌吸收吧!   你现有的光耦没导通时,你的电阻已经让晶闸管导通了,好好想想是不是。

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h0w1h2|  楼主 | 2010-10-22 16:39 | 只看该作者
一般双向可控硅所承受的的dv/dt没有单向可控硅高,所以采用单相可控硅反并联,串联光藕上并联的电阻阻值1兆欧,均压用的,不会让可控硅导通

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h0w1h2|  楼主 | 2010-10-22 17:37 | 只看该作者
限制dv/dt是在可控硅两端加RC,只是RC参数计算比较复杂一般都是经验值,

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maychang| | 2010-10-22 19:06 | 只看该作者
双向晶闸管允许的电压上升率确实比普通晶闸管低得多,不过,按照楼主的要求(控制电机转向),应该用双向晶闸管,成本低不少。
限制dV/dt,在源内阻极小时,加RC是没有用处的。
楼主的电路,应该在三相电源线上串联电感并联电容来限制合闸时的dV/dt。

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h0w1h2|  楼主 | 2010-10-23 09:54 | 只看该作者
用电感电容体积会大不少,我看有厂家做的三相正反转控制模块好像没用到电感电容,电感电容肯定放不进模块里,不知道它采用了什麽方法克服dv/dt,例如“三相电机正反转模块,固态继电器12D-380A15Z-YL3 ”

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zhufdf| | 2010-10-23 12:18 | 只看该作者
楼主有意思,你的目标是电机正反转。用过零光耦让可控硅在过零时接通,稳定可靠,还去关心电压上升率,20毫秒的交流周期你总改不了吧,10毫秒一次导通,正弦电压本身就上升没有可控硅快,你不是做斩波啊!就算做斩波,也可以调整角。呵呵,不知道我是不是搞错了,请指正!

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zhufdf| | 2010-10-23 12:22 | 只看该作者
过零导通还可以保证另一路可控硅已断开了,否则就会烧管子,还不知道为什么管子会烧吗?同时导通啊!也许我是错的!

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h0w1h2|  楼主 | 2010-10-23 16:46 | 只看该作者
dv/dt是使用可控硅的一个重要参数,它会造成可控硅在没有驱动信号时误导通,肯定要关心,另外肯定要保证两路可控硅不同时导通,同时导通当然会烧管子,现在的问题是没给驱动信号,在上电的瞬间也同时导通了,郁闷,还没解决啊,

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zhangjinxing| | 2011-4-8 10:08 | 只看该作者
上电时有高次谐波吧我也正为这个问题头痛那,另外,你没有在输入里加互锁电路,万一输入同时导通就爆了

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gjatwfn| | 2012-3-28 10:35 | 只看该作者
我也遇到过这个问题,真是很头痛,而且还是随机来的。

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gao428| | 2012-3-28 13:46 | 只看该作者
是380V?可控硅型号是什么?参数够不够?

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mercyau| | 2012-3-28 16:46 | 只看该作者
图上已经有压敏电阻且规格合适的话,例如是800V,应该可以保护dv/dt了,
建议LZ价格电流互感器,看看上电时有否异常电流流过

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