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可控硅上电故障

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h0w1h2|  楼主 | 2010-10-21 15:50 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
可控硅, 交流电机, 电机正反转, 三相交流, 三相交流电
我设计了一个三相交流电机正反转控制器，三相两控，8只1200v单相可控硅两两反并联，moc3082驱动，经常出现上电烧可控硅，还没有接驱动信号，可控硅保护采用RC,R为100欧，C为0.22uf/630v,；请问是哪方面的问题

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沙发
maychang| | 2010-10-22 00:11 | 只看该作者
晶闸管有个参数叫电压上升率，我认为应该称为最大电压上升率。
施加在普通晶闸管两端的正向电压上升过快，上升速度超过了允许的电压上升率，虽没有触发信号，晶闸管也将导通。
合闸上电的电压上升率非常高(类似电路分析里面的阶跃信号)，若晶闸管不能承受这么高的电压上升率，则两相之间串联的两支晶闸管将导通造成电源短路，从而烧毁晶闸管。

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板凳
h0w1h2|  楼主 | 2010-10-22 10:31 | 只看该作者
我分析也是dv/dt造成的误导通，可我在可控硅两端加了RC电路，且RC的参数也调整了，还是无法限制dv/dt,什麽原因啊

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地板
maychang| | 2010-10-22 14:10 | 只看该作者
晶闸管两端的RC根本不能限制dV/dt，因为三相交流电源的内阻很小(一般小于1欧)。

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5楼
zhufdf| | 2010-10-22 15:11 | 只看该作者
楼主好富有哦，这么光耦加晶闸管，为什么不用四个双向的可控硅，光耦用带过零检测的，不就完事了。

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6楼
zhufdf| | 2010-10-22 15:14 | 只看该作者
RC是浪涌吸收吧！   你现有的光耦没导通时，你的电阻已经让晶闸管导通了，好好想想是不是。

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7楼
h0w1h2|  楼主 | 2010-10-22 16:39 | 只看该作者
一般双向可控硅所承受的的dv/dt没有单向可控硅高，所以采用单相可控硅反并联，串联光藕上并联的电阻阻值1兆欧，均压用的，不会让可控硅导通

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8楼
h0w1h2|  楼主 | 2010-10-22 17:37 | 只看该作者
限制dv/dt是在可控硅两端加RC，只是RC参数计算比较复杂一般都是经验值，

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9楼
maychang| | 2010-10-22 19:06 | 只看该作者
双向晶闸管允许的电压上升率确实比普通晶闸管低得多，不过，按照楼主的要求(控制电机转向)，应该用双向晶闸管，成本低不少。
限制dV/dt，在源内阻极小时，加RC是没有用处的。
楼主的电路，应该在三相电源线上串联电感并联电容来限制合闸时的dV/dt。

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10楼
h0w1h2|  楼主 | 2010-10-23 09:54 | 只看该作者
用电感电容体积会大不少，我看有厂家做的三相正反转控制模块好像没用到电感电容，电感电容肯定放不进模块里，不知道它采用了什麽方法克服dv/dt,例如“三相电机正反转模块,固态继电器12D-380A15Z-YL3 ”

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11楼
zhufdf| | 2010-10-23 12:18 | 只看该作者
楼主有意思，你的目标是电机正反转。用过零光耦让可控硅在过零时接通，稳定可靠，还去关心电压上升率，20毫秒的交流周期你总改不了吧，10毫秒一次导通，正弦电压本身就上升没有可控硅快，你不是做斩波啊！就算做斩波，也可以调整角。呵呵，不知道我是不是搞错了，请指正！

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12楼
zhufdf| | 2010-10-23 12:22 | 只看该作者
过零导通还可以保证另一路可控硅已断开了，否则就会烧管子，还不知道为什么管子会烧吗？同时导通啊！也许我是错的！

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13楼
h0w1h2|  楼主 | 2010-10-23 16:46 | 只看该作者
dv/dt是使用可控硅的一个重要参数，它会造成可控硅在没有驱动信号时误导通，肯定要关心，另外肯定要保证两路可控硅不同时导通，同时导通当然会烧管子，现在的问题是没给驱动信号，在上电的瞬间也同时导通了，郁闷，还没解决啊，

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14楼
zhangjinxing| | 2011-4-8 10:08 | 只看该作者
上电时有高次谐波吧我也正为这个问题头痛那，另外，你没有在输入里加互锁电路，万一输入同时导通就爆了

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15楼
gjatwfn| | 2012-3-28 10:35 | 只看该作者
我也遇到过这个问题，真是很头痛，而且还是随机来的。

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16楼
gao428| | 2012-3-28 13:46 | 只看该作者
是380V?可控硅型号是什么？参数够不够？

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17楼
mercyau| | 2012-3-28 16:46 | 只看该作者
图上已经有压敏电阻且规格合适的话，例如是800V，应该可以保护dv/dt了，
建议ＬＺ价格电流互感器，看看上电时有否异常电流流过

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