缓启动电路烧毁MOS

登录 · 发表于 2017-8-18 15:21

见原理图，缓启动电路后面接了容性负载，容性负载需要储能，电容很大，当C10和C16都为1nF时MOS是不会烧毁的，但是没有起到缓启动的作用，当C10或者C16任意一个加大到1uF左右时MOS管烧毁。如果不加缓启动电路的话，开机瞬间会拖死电源，求解决方法？

发表于 2017-8-18 15:55

把电容当成电池，再想想该怎么做

登录 · 发表于 2017-8-18 15:59

一个思路：

发表于 2017-8-18 16:25

用电阻限流不行，110V的电压，后面的容性负载很大，电阻功率需要非常大

发表于 2017-8-18 16:38

只是一个思路，一个示意图；
我也想电路又简单又便宜，占地还特小

发表于 2017-8-18 16:41

还有其他办法吗

发表于 2017-8-18 16:42

你可以考虑用DC-DC、PTC、NTC、电灯泡。。。就看你哪一块比较有经验

发表于 2017-8-18 17:46

king5555 发表于 2017-8-18 17:22
C10摆在哪里就不对，反而变成是加速启动，C10地端移到源极处。

不会变成加速吧，刚上电时管子的D极是高电平，只是楼主起了个GND的名字而已；
现在问题是MOS管扛不住那么大的充电功率

发表于 2017-8-18 18:39

king5555 发表于 2017-8-18 18:24
刚上电时电解22OuF就开始充电，则D极是高电平，比G极还高，故C10也有充电电流，流向G极等回路，扣掉Cgs的 ...

受教了

发表于 2017-8-18 21:15

C10位置放错了

发表于 2017-8-19 13:10

本帖最后由 hamstar 于 2017-8-19 13:26 编辑

MOS管在没有完全导通前Rds很大，MOS管发热量也会很大，应该在220uF电容充电差不多完成的时候完全开启MOS管，不要让MOS管工作在线性区域。C10越大，MOS管工作在线性区域的时间就越长，所以加大C10很容易烧坏MOS管

发表于 2017-8-19 14:54

电容位置错了。
不过缓启动时间太长，MOS关也会过热烧坏的，压降太大功率很大。

发表于 2017-8-19 17:40

一个三极管+一只电阻就解决问题了，要自找事情做，那没办法，原理就是检测MOS管DS的电压，电压大于一定值的时候导通，拉低MOS的G电压使其不导通

发表于 2017-8-20 17:40

zhengmero 发表于 2017-8-18 16:25
用电阻限流不行，110V的电压，后面的容性负载很大，电阻功率需要非常大

用MOS功率就不需要非常大了么？

用电阻限制上电浪涌，是首选！
再并个P-MOS+RC延时短接，成了。

[电路/定理] 缓启动电路烧毁MOS

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