N沟道增强型MOS管的漏极电流怎么计算

发表于 2010-11-8 09:58

N沟道增强型MOS管的漏极电流怎么计算
电路是直流通路，在这种情况下的漏极电流怎么计算

发表于 2010-11-8 10:37

问题太笼统。
MOS管是开关工作还是线性工作？你要的是电流平均值还是瞬时值？电路？

发表于 2010-11-8 13:28

MOS管是线性工作
直流通路应该是平均值

发表于 2010-11-8 14:33

Id=Ido(Vgs/Vt-1)(Vgs/Vt-1) ,Ido是Vgs=2Vt时 id 值

登录 · 发表于 2010-11-8 15:03

在这个电路下当管子处于线性工作下，改变电阻RV5，Id电流就变化了
这个电路对么

发表于 2010-11-8 15:07

改变RV5对漏极电流影响很小，除非漏极电压很低。

发表于 2010-11-8 15:39

不是啊我在proteus下仿真的，在这些参数下，滑动RV5，Id可以从1A变到5A

发表于 2010-11-8 16:11

漏极电流是受栅源电压控制的，如果在线性工作状态下，增加栅源电压就会增加漏极电流
除非管子饱和了，工作在非线性区

发表于 2010-11-8 17:03

我想问
在静态通路下，MOS管电路处于饱和区，这时Id电流怎么计算

发表于 2010-11-8 17:04

有人给我这个公式 Id = gm*Ugs + (1/Rds) * Uds
跟4楼给的不一样

发表于 2010-11-8 17:26

不是啊我在proteus下仿真的，在这些参数下，滑动RV5，Id可以从1A变到5A
动感维C 发表于 2010-11-8 15:39

估计MOS已经工作在饱和状态了。

发表于 2010-11-8 20:23

Id根据电路图和器件参数算不出来

必须已知一个点的电流，才能计算出其他Vg时的Id值。

发表于 2010-11-9 01:23

本帖最后由 bbyeah 于 2010-11-9 19:16 编辑

忽略体效应(当然楼主的这个连接方式本身没有体效应)和沟道长度调制
Id=0.5*Kp*W/L*(Vgs-Vt)^2 Vds>=Vgs-Vt
Id=Kp*W/L*((Vgs-Vt)*Vds-Vds^2/2) Vds<Vgs-Vt
对于一个管子，知道了Kp*W/L就可以计算，这三个参数对于一个确定的管子来说是确定的值

10L的公式是小信号模型下线性区Id的表达式，注意MOS的线性区，饱和区意义和BJT是不同的
------------------------------------
修正triode region表达式，这里没有0.5*

发表于 2010-11-9 09:16

学习了:)

发表于 2010-11-9 11:17

Id=0.5*Kp*W/L*(Vgs-Vt)^2 Vds>=Vgs-Vt
那根据这个式子，如果我要改变漏极电流怎么办

发表于 2010-11-9 11:39

改变Vgs

发表于 2010-11-10 09:49

Id=0.5*Kp*W/L*(Vgs-Vt)^2 Vds>=Vgs-Vt
饱和的时候，改变Vgs的时候电流就会改变
Id=Kp*W/L*((Vgs-Vt)*Vds-Vds^2/2) Vds<Vgs-Vt
线性的时候，改变Vgs和Vds都会改变电流
但是有一点，就是线性区比较狭小，比较难控制

发表于 2011-3-25 20:11

同意17楼的说法。Vt是什么？

N沟道增强型MOS管的漏极电流怎么计算

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