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N沟道增强型MOS管的漏极电流怎么计算

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楼主
动感维C|  楼主 | 2010-11-8 09:58 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS管, 电流, 电路, 直流
N沟道增强型MOS管的漏极电流怎么计算
电路是直流通路，在这种情况下的漏极电流怎么计算

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沙发
maychang| | 2010-11-8 10:37 | 只看该作者
问题太笼统。
MOS管是开关工作还是线性工作？你要的是电流平均值还是瞬时值？电路？

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板凳
动感维C|  楼主 | 2010-11-8 13:28 | 只看该作者
MOS管是线性工作
直流通路应该是平均值

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地板
xyz5411| | 2010-11-8 14:33 | 只看该作者
Id=Ido(Vgs/Vt-1)(Vgs/Vt-1) ,Ido是Vgs=2Vt时 id 值

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5楼
动感维C|  楼主 | 2010-11-8 15:03 | 只看该作者
在这个电路下  当管子处于线性工作下，改变电阻RV5，Id电流就变化了
这个电路对么

MOS3.png (6.88 KB )

MOS3.png

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6楼
maychang| | 2010-11-8 15:07 | 只看该作者
改变RV5对漏极电流影响很小，除非漏极电压很低。

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7楼
动感维C|  楼主 | 2010-11-8 15:39 | 只看该作者
不是啊  我在proteus下仿真的，在这些参数下，滑动RV5，Id可以从1A变到5A

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8楼
半个苹果| | 2010-11-8 16:11 | 只看该作者
漏极电流是受栅源电压控制的，如果在线性工作状态下，增加栅源电压就会增加漏极电流
除非管子饱和了，工作在非线性区

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9楼
动感维C|  楼主 | 2010-11-8 17:03 | 只看该作者
我想问
在静态通路下，MOS管电路处于饱和区，这时Id电流怎么计算

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10楼
动感维C|  楼主 | 2010-11-8 17:04 | 只看该作者
有人给我这个公式 Id = gm*Ugs + (1/Rds) * Uds
跟4楼给的 不一样

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11楼
st.you| | 2010-11-8 17:26 | 只看该作者
不是啊  我在proteus下仿真的，在这些参数下，滑动RV5，Id可以从1A变到5A
动感维C 发表于 2010-11-8 15:39

估计MOS已经工作在饱和状态了。

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12楼
mmax| | 2010-11-8 20:23 | 只看该作者
Id根据电路图和器件参数算不出来

必须已知一个点的电流，才能计算出其他Vg时的Id值。

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13楼
bbyeah| | 2010-11-9 01:23 | 只看该作者
本帖最后由 bbyeah 于 2010-11-9 19:16 编辑

忽略体效应(当然楼主的这个连接方式本身没有体效应)和沟道长度调制
Id=0.5*Kp*W/L*(Vgs-Vt)^2     Vds>=Vgs-Vt
Id=Kp*W/L*((Vgs-Vt)*Vds-Vds^2/2)  Vds<Vgs-Vt
对于一个管子，知道了Kp*W/L就可以计算，这三个参数对于一个确定的管子来说是确定的值

10L的公式是小信号模型下线性区Id的表达式，注意MOS的线性区，饱和区意义和BJT是不同的
------------------------------------
修正triode region表达式，这里没有0.5*

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14楼
jack_shine| | 2010-11-9 09:16 | 只看该作者
学习了:)

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15楼
动感维C|  楼主 | 2010-11-9 11:17 | 只看该作者
Id=0.5*Kp*W/L*(Vgs-Vt)^2         Vds>=Vgs-Vt
那根据这个式子，如果我要改变漏极电流怎么办

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16楼
mmax| | 2010-11-9 11:39 | 只看该作者
改变Vgs

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17楼
xm419| | 2010-11-10 09:49 | 只看该作者
Id=0.5*Kp*W/L*(Vgs-Vt)^2     Vds>=Vgs-Vt
饱和的时候，改变Vgs的时候电流就会改变
Id=Kp*W/L*((Vgs-Vt)*Vds-Vds^2/2)  Vds<Vgs-Vt
线性的时候，改变Vgs和Vds都会改变电流
但是有一点，就是线性区比较狭小，比较难控制

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18楼
hanzhenwei| | 2011-3-25 20:11 | 只看该作者
同意17楼的说法。Vt是什么？

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