| 本帖最后由 bbyeah 于 2010-11-9 19:16 编辑 
 忽略体效应(当然楼主的这个连接方式本身没有体效应)和沟道长度调制
 Id=0.5*Kp*W/L*(Vgs-Vt)^2     Vds>=Vgs-Vt
 Id=Kp*W/L*((Vgs-Vt)*Vds-Vds^2/2)  Vds<Vgs-Vt
 对于一个管子,知道了Kp*W/L就可以计算,这三个参数对于一个确定的管子来说是确定的值
 
 10L的公式是小信号模型下线性区Id的表达式,注意MOS的线性区,饱和区意义和BJT是不同的
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 修正triode region表达式,这里没有0.5*
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